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SSM2212RZ产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SSM2212RZ由Analog设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SSM2212RZ价格参考。AnalogSSM2212RZ封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列, Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) Matched Pair 40V 20mA 200MHz Surface Mount 8-SOIC。您可以下载SSM2212RZ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SSM2212RZ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
SSM2212RZ 是由 Analog Devices Inc.(ADI)生产的一款双极性晶体管(BJT)阵列,广泛应用于需要高性能、低噪声和高增益的模拟电路设计中。以下是该型号的主要应用场景: 1. 音频放大器 - SSM2212RZ 的高增益和低噪声特性使其非常适合用于音频信号放大。它可以作为前置放大器或驱动级晶体管,提供清晰、失真小的音频输出。 - 应用于耳机放大器、音响系统或其他需要高质量音频处理的设备。 2. 运算放大器设计 - 在设计高性能运算放大器时,SSM2212RZ 可用作输入差分对或电流镜,以实现低噪声和高共模抑制比(CMRR)。 - 其匹配良好的参数(如电流增益和基极-发射极电压)有助于提高放大器的稳定性和一致性。 3. 射频(RF)和无线通信 - 虽然 SSM2212RZ 不是专为高频应用设计的,但在某些低频段的射频电路中,它可以用作驱动级或缓冲级晶体管。 - 适用于低噪声放大器(LNA)或功率放大器的前置级设计。 4. 精密仪器 - 在需要高精度和低噪声的仪器中(如数据采集系统、测试测量设备),SSM2212RZ 可用于信号调理电路。 - 它能够处理微弱信号并保持高信噪比,确保测量结果的准确性。 5. 电源管理 - 作为开关或线性稳压器的一部分,SSM2212RZ 可用于调节电流或电压。 - 在某些低功耗应用中,它可以用作电流源或电流镜,为负载提供稳定的电流。 6. 工业控制 - 在工业自动化领域,SSM2212RZ 可用于信号放大、传感器接口或驱动小型执行器。 - 其可靠的性能和宽工作温度范围(-55°C 至 +150°C)使其适合恶劣环境下的应用。 7. 教育与实验 - 由于其典型参数明确且易于使用,SSM2212RZ 常被用作教学工具,帮助学生学习 BJT 的特性和应用。 - 在实验室环境中,它可用于构建各种基础电路,如放大器、振荡器和逻辑门。 总结 SSM2212RZ 的主要优势在于其高增益、低噪声和良好的匹配特性,这使得它在音频、精密仪器、电源管理和工业控制等领域具有广泛的适用性。同时,其紧凑的封装形式(如 SOIC 或 MSOP)也便于集成到各种电子系统中。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | TRANS DUAL NPN 40V 20MA 8SOIC两极晶体管 - BJT Low Noise Matched Dual NPN |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
品牌 | Analog Devices Inc |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Analog Devices SSM2212RZ- |
数据手册 | |
产品型号 | SSM2212RZ |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 200mV @ 100µA, 1mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | - |
产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
供应商器件封装 | 8-SOIC |
功率-最大值 | - |
包装 | 管件 |
商标 | Analog Devices |
增益带宽产品fT | 200 MHz |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Tube |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
封装/箱体 | SOIC-8 |
工厂包装数量 | 98 |
晶体管极性 | NPN |
晶体管类型 | 2 NPN(双)配对 |
最大工作温度 | + 85 C |
最大直流电集电极电流 | 20 mA |
最小工作温度 | - 40 C |
标准包装 | 98 |
电压-集射极击穿(最大值) | 40V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 20mA |
电流-集电极截止(最大值) | 500pA |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 300 |
系列 | SSM2212 |
配置 | Dual |
集电极—发射极最大电压VCEO | 40 V |
集电极—基极电压VCBO | 40 V |
集电极—射极饱和电压 | 50 mV |
频率-跃迁 | 200MHz |