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产品简介:
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SSM2212RZ-RL 是由 Analog Devices Inc. 生产的一款双极性晶体管 (BJT) 阵列,广泛应用于需要高性能信号放大和开关的电路设计中。以下是其主要应用场景: 1. 音频信号放大:SSM2212RZ-RL 适合用于音频设备中的小信号放大,例如前置放大器或耳机驱动器。其低噪声特性和高增益使其成为高质量音频应用的理想选择。 2. 运算放大器和比较器设计:在模拟电路中,该 BJT 阵列可用于构建高性能运算放大器或比较器的核心差分放大级。其匹配良好的特性有助于提高电路的精度和稳定性。 3. 射频 (RF) 和无线通信:由于其高频性能,SSM2212RZ-RL 可用于射频前端模块中的低噪声放大器 (LNA) 或混频器设计,适用于无线通信系统。 4. 精密测量仪器:在数据采集系统、测试设备和其他精密测量仪器中,这款 BJT 阵列可用于实现高精度电流源、电压基准或其他关键功能模块。 5. 高速开关和逻辑电路:得益于其快速开关能力和低饱和电压,SSM2212RZ-RL 可用于设计高速开关电路或模拟开关矩阵。 6. 电源管理:在某些低功率电源管理应用中,该器件可以用作线性稳压器中的误差放大器或电流镜像电路。 总之,SSM2212RZ-RL 凭借其优异的电气特性和高度集成的设计,适用于需要高精度、低噪声和高频性能的各种模拟电路中。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | TRANS DUAL NPN 40V 20MA 8SOIC |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列 |
品牌 | Analog Devices Inc |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | SSM2212RZ-RL |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 200mV @ 100µA, 1mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | - |
供应商器件封装 | 8-SOIC |
其它名称 | SSM2212RZ-RL-ND |
功率-最大值 | - |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
晶体管类型 | 2 NPN(双)配对 |
标准包装 | 2,500 |
电压-集射极击穿(最大值) | 40V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 20mA |
电流-集电极截止(最大值) | 500pA |
频率-跃迁 | 200MHz |