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  • 型号: SQ3427EEV-T1-GE3
  • 制造商: Vishay
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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SQ3427EEV-T1-GE3产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SQ3427EEV-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SQ3427EEV-T1-GE3价格参考。VishaySQ3427EEV-T1-GE3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 60V 5.5A(Tc) 5W(Tc) 6-TSOP。您可以下载SQ3427EEV-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SQ3427EEV-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET P-CH 60V 5.5A 6TSOPMOSFET 60V 5.5A 5W P-Ch Automotive

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

- 5.5 A

Id-连续漏极电流

- 5.5 A

品牌

Vishay SiliconixVishay / Siliconix

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SQ3427EEV-T1-GE3TrenchFET®

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产品型号

SQ3427EEV-T1-GE3SQ3427EEV-T1-GE3

Pd-PowerDissipation

5 W

Pd-功率耗散

5 W

Qg-GateCharge

20.8 nC

Qg-栅极电荷

20.8 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

82 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

82 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

- 60 V

Vds-漏源极击穿电压

- 60 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

7 nS

下降时间

12 nS

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1125pF @ 30V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

32nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

82 毫欧 @ 4.5A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

6-TSOP

其它名称

SQ3427EEV-T1-GE3CT

典型关闭延迟时间

26 nS

功率-最大值

5W

包装

剪切带 (CT)

商标

Vishay / Siliconix

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

82 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

SC-74,SOT-457

封装/箱体

TSOP-6

工厂包装数量

3000

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

汲极/源极击穿电压

- 60 V

漏极连续电流

- 5.5 A

漏源极电压(Vdss)

60V

特色产品

http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/vishay-siliconix-sq-series-mosfet/1181

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

5.5A (Tc)

配置

Single

零件号别名

SQ3427EEV-GE3

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