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Datasheet下载- 型号： SQ3419EEV-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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SQ3419EEV-T1-GE3产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SQ3419EEV-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SQ3419EEV-T1-GE3价格参考。VishaySQ3419EEV-T1-GE3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， P-Channel 40V 7.4A (Tc) 5W (Tc) Surface Mount 6-TSOP。您可以下载SQ3419EEV-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SQ3419EEV-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET P-CH 40V 7.4A 6TSOPMOSFET 40V 7.4A 5W P-Ch Automotive |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 7.4 A |
| Id-连续漏极电流 | - 7.4 A |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SQ3419EEV-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SQ3419EEV-T1-GE3SQ3419EEV-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 5 W |
| Pd-功率耗散 | 5 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 50 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 50 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 40 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 40 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 12 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1065pF @ 20V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 15nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 50 毫欧 @ 2.5A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 6-TSOP |
| 其它名称 | SQ3419EEV-T1-GE3TR |
| 功率-最大值 | 5W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 50 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-74，SOT-457 |
| 封装/箱体 | TSOP-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 汲极/源极击穿电压 | - 40 V |
| 漏极连续电流 | - 7.4 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/vishay-siliconix-sq-series-mosfet/1181 |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 7.4A （Tc） |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SQ3419EEV-GE3 |
