【晶体管 - FET，MOSFET - 单_SQ1420EEH-T1-GE3】封装/厂家_SQ1420EEH-T1-GE3中文资料_价格

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型号： SQ1420EEH-T1-GE3
制造商： Vishay
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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SQ1420EEH-T1-GE3产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供SQ1420EEH-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SQ1420EEH-T1-GE3价格参考。VishaySQ1420EEH-T1-GE3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，表面贴装 N 沟道 60V 1.6A（Tc） 3.3W（Tc） SC-70-6（SOT-363）。您可以下载SQ1420EEH-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SQ1420EEH-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET N-CH 60V 1.6A SC70-6MOSFET 60V 1.6A 3.3W N-Ch Automotive
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	逻辑电平门
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	1.6 A
Id-连续漏极电流	1.6 A
品牌	Vishay / SiliconixVishay Siliconix
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产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SQ1420EEH-T1-GE3TrenchFET®
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	SQ1420EEH-T1-GE3SQ1420EEH-T1-GE3
Pd-PowerDissipation	3.3 W
Pd-功率耗散	3.3 W
Qg-GateCharge	2.7 nC
Qg-栅极电荷	2.7 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance	140 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	140 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	60 V
Vds-漏源极击穿电压	60 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 20 V
Vgs-栅源极击穿电压	20 V
上升时间	21 nS
下降时间	7 nS
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	2.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	215pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	4nC @ 4.5V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	140 毫欧 @ 1.2A，10V
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	SC-70-6 （SOT-363）
其它名称	SQ1420EEH-T1-GE3CT
典型关闭延迟时间	8 nS
功率-最大值	3.3W
包装	剪切带（CT）
商标	Vishay / Siliconix
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/外壳	6-TSSOP，SC-88，SOT-363
封装/箱体	SC-70-6
工厂包装数量	3000
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 175 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	1
漏源极电压(Vdss)	60V
特色产品	http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/vishay-siliconix-sq-series-mosfet/1181
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	1.6A （Tc）
配置	Single
零件号别名	SQ1420EEH-GE3

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