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  • 型号: SPP04N60C3XKSA1
  • 制造商: Infineon
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SPP04N60C3XKSA1由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SPP04N60C3XKSA1价格参考。InfineonSPP04N60C3XKSA1封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SPP04N60C3XKSA1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SPP04N60C3XKSA1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N-CH 650V 4.5A TO-220MOSFET CoolMOS N-Chan 650V 4.5A

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

4.5 A

Id-连续漏极电流

4.5 A

品牌

Infineon Technologies

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Infineon Technologies SPP04N60C3XKSA1CoolMOS™

数据手册

http://www.infineon.com/dgdl/SPP_A04N60C3_Rev.3.1.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42dd6a14900点击此处下载产品Datasheet

产品型号

SPP04N60C3XKSA1

Pd-PowerDissipation

50 W

Pd-功率耗散

50 W

Qg-GateCharge

19 nC

Qg-栅极电荷

19 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

850 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

850 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

600 V

Vds-漏源极击穿电压

600 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

3 V

Vgsth-栅源极阈值电压

3 V

上升时间

2.5 ns

下降时间

9.5 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3.9V @ 200µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

490pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

25nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

950 毫欧 @ 2.8A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25212http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25318

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

PG-TO220-3

其它名称

SP000681024

典型关闭延迟时间

58.5 ns

功率-最大值

50W

包装

管件

商标

Infineon Technologies

商标名

CoolMOS

安装类型

表面贴装

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3 隔离片

封装/箱体

TO-220FP-3

工厂包装数量

500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

50

正向跨导-最小值

4.4 S

漏源极电压(Vdss)

600V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

4.5A (Tc)

系列

SPP04N60

配置

Single

零件号别名

SP000681024

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