ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > SPN03N60C3
Datasheet下载- 型号： SPN03N60C3
- 制造商： Infineon
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SPN03N60C3由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SPN03N60C3价格参考。InfineonSPN03N60C3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 650V 700mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4。您可以下载SPN03N60C3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SPN03N60C3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies的SPN03N60C3是一款单通道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于FET系列，其应用场景广泛，尤其是在需要高效开关和低损耗的电力电子设备中。以下是该型号的主要应用场景： 1. 开关电源（SMPS）：SPN03N60C3适用于各种开关模式电源，如AC-DC转换器、DC-DC转换器等。其高击穿电压（600V）使其能够承受较高的输入电压，同时低导通电阻（Rds(on)）有助于减少功率损耗，提高效率。 2. 电机驱动：在小型电机控制应用中，该MOSFET可用于实现高效的开关控制。例如，在家用电器（如风扇、泵）或工业自动化设备中，它能提供可靠的性能和稳定性。 3. 逆变器：SPN03N60C3适合用于光伏逆变器或其他类型的电力逆变器中，用于将直流电转换为交流电。其快速开关特性和低损耗特性使它成为理想选择。 4. 电池管理系统（BMS）：在电动汽车、储能系统或便携式电子设备的电池管理中，该器件可用作充放电控制开关，确保电池的安全和高效运行。 5. 负载切换：在电信设备、服务器或消费电子产品中，SPN03N60C3可用于负载切换电路，以实现对不同负载的动态管理和保护。 6. PFC电路（功率因数校正）：在需要提高功率因数的应用中，该MOSFET可以用于升压PFC拓扑结构，帮助改善系统的整体效率和性能。 综上所述，SPN03N60C3凭借其出色的电气特性和可靠性，非常适合应用于需要高效能量转换和精确控制的场景中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 650V 0.7A SOT-223 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/SPN03N60C3_Rev.2.1.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42d80e0488b |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SPN03N60C3 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | CoolMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3.9V @ 135µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 400pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 17nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.4 欧姆 @ 2A，10V |
| 供应商器件封装 | PG-SOT223-4 |
| 其它名称 | SP000014455 |
| 功率-最大值 | 1.8W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 标准包装 | 1,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 650V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 700mA （Ta） |
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