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  • 型号: SPN01N60C3
  • 制造商: Infineon
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SPN01N60C3由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SPN01N60C3价格参考。InfineonSPN01N60C3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 650V 300mA(Ta) 1.8W(Ta) PG-SOT223-4。您可以下载SPN01N60C3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SPN01N60C3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 650V 0.3A SOT-223

产品分类

FET - 单

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

Infineon Technologies

数据手册

http://www.infineon.com/dgdl/SPN01N60C3_Rev.2.2.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42df7f84927

产品图片

产品型号

SPN01N60C3

PCN过时产品

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rohs

含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

CoolMOS™

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3.7V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

100pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

5nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

6 欧姆 @ 500mA,10V

供应商器件封装

PG-SOT223-4

其它名称

SP000012411
SPN01N60C3T
SPN01N60C3XT

功率-最大值

1.8W

包装

带卷 (TR)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

TO-261-4,TO-261AA

标准包装

1,000

漏源极电压(Vdss)

650V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

300mA (Ta)

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