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产品简介:
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参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 560V 4.5A DPAK |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Infineon Technologies |
数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/SPD04N50C3_Rev.2.5.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42d0fc547f8 |
产品图片 | |
产品型号 | SPD04N50C3T |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | CoolMOS™ |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3.9V @ 200µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 470pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 22nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 950 毫欧 @ 2.8A,10V |
供应商器件封装 | PG-TO252-3 |
其它名称 | SPD04N50C3XTINCT |
功率-最大值 | 50W |
包装 | 剪切带 (CT) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 560V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 4.5A (Tc) |