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  • 型号: SPB11N60C3
  • 制造商: Infineon
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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SPB11N60C3产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SPB11N60C3由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 提供SPB11N60C3价格参考以及InfineonSPB11N60C3封装/规格参数等产品信息。 你可以下载SPB11N60C3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书, 资料中有SPB11N60C3详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 650V 11A D2PAKMOSFET COOL MOS N-CH 650V 11A

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

11 A

Id-连续漏极电流

11 A

品牌

Infineon Technologies

产品手册

http://www.infineon.com/dgdl/SPB11N60C3_Rev+2+6.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42dde5d4908

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Infineon Technologies SPB11N60C3CoolMOS™

数据手册

http://www.infineon.com/dgdl/SPB11N60C3_Rev+2+6.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42dde5d4908

产品型号

SPB11N60C3

Pd-PowerDissipation

125 W

Pd-功率耗散

125 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

380 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

380 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

600 V

Vds-漏源极击穿电压

600 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

5 ns

下降时间

5 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3.9V @ 500µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1200pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

60nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

380 毫欧 @ 7A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25212http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25318

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

PG-TO263-3

其它名称

SPB11N60C3INCT
SPB11N60C3XTINCT
SPB11N60C3XTINCT-ND

典型关闭延迟时间

44 ns

功率-最大值

125W

包装

剪切带 (CT)

商标

Infineon Technologies

商标名

CoolMOS

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB

封装/箱体

D2PAK-2

工厂包装数量

1000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

650V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

11A (Tc)

系列

SPB11N60

通道模式

Enhancement

配置

Single

零件号别名

SP000013519 SPB11N60C3ATMA1

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