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SPA21N50C3产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SPA21N50C3由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 提供SPA21N50C3价格参考以及InfineonSPA21N50C3封装/规格参数等产品信息。 你可以下载SPA21N50C3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书, 资料中有SPA21N50C3详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 560V 21A TO220FPMOSFET COOL MOS N-CH 560V 21A |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 21 A |
Id-连续漏极电流 | 21 A |
品牌 | Infineon Technologies |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Infineon Technologies SPA21N50C3CoolMOS™ |
数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/SPP_I_A21N50C3_Rev[1].3.0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637e7be4f0060&fileId=db3a3043163797a6011637eeb9340085 |
产品型号 | SPA21N50C3 |
Pd-PowerDissipation | 34.5 W |
Pd-功率耗散 | 34.5 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 190 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 190 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 500 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 5 ns |
下降时间 | 4.5 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3.9V @ 1mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2400pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 95nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 190 毫欧 @ 13.1A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25212http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25318 |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | PG-TO220-FP |
其它名称 | SP000216364 |
典型关闭延迟时间 | 67 ns |
功率-最大值 | 34.5W |
包装 | 管件 |
商标 | Infineon Technologies |
商标名 | CoolMOS |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
封装/箱体 | TO-220FP-3 |
工厂包装数量 | 50 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 500 |
漏源极电压(Vdss) | 560V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 21A (Tc) |
系列 | SPA21N50 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |
零件号别名 | SP000216364 SPA21N50C3XKSA1 |