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Datasheet下载- 型号： SP8M51TB1
- 制造商： ROHM Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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SP8M51TB1产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SP8M51TB1由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SP8M51TB1价格参考。ROHM SemiconductorSP8M51TB1封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， N 和 P 沟道 Mosfet 阵列 100V 3A，2.5A 2W 表面贴装 8-SOP。您可以下载SP8M51TB1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SP8M51TB1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N/P-CH 100V 3A/2.5A SOP8MOSFET Nch+Pch 100V/-100V 3A/-2.5A; MOSFET |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | N 和 P 沟道 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 3 A |
| Id-连续漏极电流 | 3 A, - 2.5 A |
| 品牌 | ROHM Semiconductor |
| 产品手册 | http://www.rohm.com/products/discrete/transistor/complex_mos-mos/sp8m51/print.html |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ROHM Semiconductor SP8M51TB1- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SP8M51TB1 |
| Pd-PowerDissipation | 2 W |
| Pd-功率耗散 | 2 W |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V, - 100 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | - |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SOP |
| 其它名称 | SP8M51TB1DKR |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOP-8 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N and P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 100 V |
| 漏极连续电流 | 3 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/ROHM/MOSFET_ECOMOS.html |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3A，2.5A |
