ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 > SP8M3TB
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详细数据请看参考数据手册
- 型号： SP8M3TB
- 制造商： ROHM Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SP8M3TB由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SP8M3TB价格参考。ROHM SemiconductorSP8M3TB封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， N 和 P 沟道 Mosfet 阵列 30V 5A，4.5A 2W 表面贴装 8-SOP。您可以下载SP8M3TB参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SP8M3TB 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Rohm Semiconductor的SP8M3TB是一款双通道N沟道MOSFET阵列，属于晶体管 - FET、MOSFET - 阵列类别。其应用场景广泛，特别适合需要高效率、低功耗和小型化设计的电子设备。以下是该型号的主要应用场景： 1. 电源管理：SP8M3TB适用于各种电源管理应用，例如负载开关、DC-DC转换器和电压调节模块（VRM）。其低导通电阻（Rds(on)）特性有助于减少功率损耗，提高系统效率。 2. 便携式设备：由于其低功耗和小封装尺寸（如SOP8或更小），SP8M3TB非常适合用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备和其他电池供电的便携式电子产品中。 3. 信号切换：在需要高频信号切换的应用中，例如音频设备、数据通信接口（USB、UART等）以及传感器信号切换，SP8M3TB能够提供快速响应和低信号失真。 4. 电机控制：在小型电机驱动电路中，SP8M3TB可以作为驱动级开关，用于控制电机的启动、停止和速度调节。它支持低至几伏的工作电压，适合微小型电机应用。 5. 保护电路：该器件可用于过流保护、短路保护和热关断保护电路中，确保系统的安全运行。其内置的保护功能减少了外部元件的需求，简化了设计。 6. 消费类电子产品：SP8M3TB适用于家用电器中的开关和控制功能，如智能音箱、智能家居设备、游戏控制器等。 7. 工业自动化：在工业领域，该器件可用于信号隔离、继电器替代和小型执行器控制，满足对可靠性和效率的要求。 总之，SP8M3TB凭借其高性能、紧凑设计和多功能性，成为众多电子应用的理想选择，尤其是在注重能效和空间限制的设计中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A 8SOIC |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | N 和 P 沟道 |
| 品牌 | Rohm Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SP8M3TB |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 230pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 3.9nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 51 毫欧 @ 5A，10V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC N |
| 其它名称 | SP8M3TBCT |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/ROHM/MOSFET_ECOMOS.html |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 5A，4.5A |
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