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SP8K1TB产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SP8K1TB由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SP8K1TB价格参考¥1.14-¥1.31。ROHM SemiconductorSP8K1TB封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, 2 个 N 沟道(双) Mosfet 阵列 30V 5A 2W 表面贴装 8-SOP。您可以下载SP8K1TB参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SP8K1TB 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET 2N-CH 30V 5A 8-SOIC |
产品分类 | FET - 阵列 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | 2 个 N 沟道(双) |
品牌 | Rohm Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | SP8K1TB |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 1mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 230pF @ 10V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 5.5nC @ 5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 51 毫欧 @ 5A,10V |
产品目录绘图 | |
产品目录页面 | |
供应商器件封装 | 8-SOIC N |
其它名称 | SP8K1TBCT |
功率-最大值 | 2W |
包装 | 剪切带 (CT) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/ROHM/MOSFET_ECOMOS.html |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 5A |