图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SP8J1FU6TB由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SP8J1FU6TB价格参考。ROHM SemiconductorSP8J1FU6TB封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SP8J1FU6TB参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SP8J1FU6TB 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET P-CH DUAL 30V 5A 8SOIC |
产品分类 | FET - 阵列 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | 2 个 P 沟道(双) |
品牌 | Rohm Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | SP8J1FU6TB |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 1mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1400pF @ 10V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 16nC @ 5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 42 毫欧 @ 5A,10V |
供应商器件封装 | 8-SOIC N |
功率-最大值 | 2W |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
标准包装 | 2,500 |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 5A |