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SN75452BDR产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SN75452BDR由Texas Instruments设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SN75452BDR价格参考。Texas InstrumentsSN75452BDR封装/规格:PMIC - 栅极驱动器, Low-Side Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOIC。您可以下载SN75452BDR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SN75452BDR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Texas Instruments(德州仪器)的SN75452BDR是一款PMIC(电源管理集成电路)中的栅极驱动器,广泛应用于需要高效、可靠驱动功率MOSFET或IGBT的应用场景。以下是该器件的主要应用场景: 1. 电机驱动与控制系统 SN75452BDR常用于工业自动化和家电设备中的电机驱动系统。它能够为功率MOSFET或IGBT提供快速且可靠的开关信号,确保电机的精确控制。例如,在变频空调、洗衣机、冰箱等家用电器中,SN75452BDR可以有效地驱动逆变器电路中的功率器件,实现对电机转速和方向的精准控制。 2. 太阳能逆变器 在太阳能发电系统中,SN75452BDR被用于逆变器的栅极驱动部分。它能够驱动多个功率MOSFET或IGBT,将直流电转换为交流电,并确保转换过程中的高效性和稳定性。其低功耗和高可靠性特性使其非常适合在太阳能逆变器中使用,尤其是在需要长时间稳定运行的户外环境中。 3. 不间断电源(UPS) SN75452BDR也适用于UPS系统中的功率转换电路。它能够驱动功率器件,确保在市电中断时,电池能够迅速接管供电任务,提供稳定的输出电压。其快速响应能力和低延迟特性使得UPS系统能够在毫秒级内完成切换,保护敏感设备免受电力波动的影响。 4. 电动车辆(EV)及混合动力汽车(HEV) 在电动汽车和混合动力汽车的动力系统中,SN75452BDR用于驱动主逆变器中的功率器件,如MOSFET或IGBT。它能够承受较高的工作温度和电流,并提供高效的驱动信号,确保车辆的电动机平稳运行。此外,其集成的保护功能(如过流保护、短路保护等)增强了系统的安全性。 5. 工业电源和焊接设备 在工业电源和焊接设备中,SN75452BDR用于驱动功率器件,确保输出电压和电流的稳定性。其高耐压特性和强大的驱动能力使其能够在恶劣的工业环境中长期稳定工作,适应高温、高湿度等极端条件。 总之,SN75452BDR凭借其高效、可靠和低功耗的特点,广泛应用于各种需要高性能功率转换和驱动的场合,尤其适合对可靠性和效率要求较高的工业和消费电子领域。
参数 | 数值 |
产品目录 | 集成电路 (IC)半导体 |
描述 | IC DUAL PERIPHERAL DRVR 8-SOIC缓冲器和线路驱动器 Dual Hi Current Peripheral Drivers |
产品分类 | PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关集成电路 - IC |
品牌 | Texas Instruments |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 逻辑集成电路,缓冲器和线路驱动器,Texas Instruments SN75452BDR- |
数据手册 | |
产品型号 | SN75452BDR |
产品目录页面 | |
产品种类 | 缓冲器和线路驱动器 |
传播延迟时间 | 35 ns |
供应商器件封装 | 8-SOIC |
其它名称 | 296-14961-1 |
包装 | 剪切带 (CT) |
单位重量 | 72.600 mg |
商标 | Texas Instruments |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
封装/箱体 | SOIC-8 |
工作温度 | 0°C ~ 70°C |
工厂包装数量 | 2500 |
延迟时间 | 25ns |
最大功率耗散 | 725 mW |
最大工作温度 | + 70 C |
最小工作温度 | 0 C |
标准包装 | 1 |
电压-电源 | 4.75 V ~ 5.25 V |
电流-峰值 | 500mA |
系列 | SN75452B |
输入类型 | 与非 |
输出数 | 2 |
配置 | 低端 |
配置数 | 2 |
高压侧电压-最大值(自举) | - |