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SN75451BDR产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SN75451BDR由Texas Instruments设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SN75451BDR价格参考。Texas InstrumentsSN75451BDR封装/规格:PMIC - 栅极驱动器, Low-Side Gate Driver IC Inverting 8-SOIC。您可以下载SN75451BDR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SN75451BDR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 集成电路 (IC)半导体 |
描述 | IC DUAL PERIPHERAL DRVR 8-SOIC缓冲器和线路驱动器 Dual Very-HS HC Peripheral Drivers |
产品分类 | PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关集成电路 - IC |
品牌 | Texas Instruments |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 逻辑集成电路,缓冲器和线路驱动器,Texas Instruments SN75451BDR- |
数据手册 | |
产品型号 | SN75451BDR |
产品目录页面 | |
产品种类 | 缓冲器和线路驱动器 |
传播延迟时间 | 25 ns |
供应商器件封装 | 8-SOIC |
其它名称 | 296-14960-2 |
包装 | 带卷 (TR) |
单位重量 | 72.600 mg |
商标 | Texas Instruments |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
封装/箱体 | SOIC-8 |
工作温度 | 0°C ~ 70°C |
工厂包装数量 | 2500 |
延迟时间 | 35ns |
最大功率耗散 | 725 mW |
最大工作温度 | + 70 C |
最小工作温度 | 0 C |
标准包装 | 2,500 |
电压-电源 | 4.75 V ~ 5.25 V |
电流-峰值 | 500mA |
系列 | SN75451B |
输入类型 | 与 |
输出数 | 2 |
配置 | 低端 |
配置数 | 2 |
高压侧电压-最大值(自举) | - |