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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SN74AUP1G02DBVR由Texas Instruments设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SN74AUP1G02DBVR价格参考。Texas InstrumentsSN74AUP1G02DBVR封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SN74AUP1G02DBVR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SN74AUP1G02DBVR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
SN74AUP1G02DBVR 是由 Texas Instruments(德州仪器)生产的一款逻辑器件,属于单通道 2 输入与门(AND Gate)。该型号适用于多种电子系统设计场景,特别是在需要低功耗、高速度和小封装的应用中。以下是其主要应用场景: 1. 数字信号处理 - SN74AUP1G02DBVR 可用于数字电路中的信号处理,例如实现逻辑运算、数据选择或条件判断。 - 常见于嵌入式系统、微控制器外围电路以及数字信号路径控制。 2. 时序控制 - 在时钟信号生成或同步电路中,该与门可以用来控制信号的触发条件,确保多个模块之间的协调工作。 - 例如,在数据传输过程中,通过与门实现握手协议或信号使能。 3. 电源管理 - 用于电源管理芯片的控制逻辑,例如在待机模式下关闭某些功能模块的供电。 - 可以结合其他逻辑器件实现复杂的电源状态切换。 4. 传感器接口 - 在传感器信号处理中,该与门可用于将多个输入信号合并为单一输出信号。 - 例如,当两个条件同时满足时,才触发报警或启动某个功能。 5. 消费电子设备 - 应用于手机、平板电脑、智能家居设备等对体积和功耗要求较高的产品中。 - 其超小型 DSBV (WSON) 封装适合紧凑型设计。 6. 工业自动化 - 在工业控制系统中,该与门可以用来实现安全联锁逻辑或监控多路输入信号的状态。 - 例如,只有当温度和压力都处于正常范围时,才允许设备运行。 7. 通信设备 - 用于信号路由和协议转换,例如在串行通信接口中实现数据流控制。 - 其高速性能(高达 100 MHz)使其适用于现代通信应用。 总结 SN74AUP1G02DBVR 的特点是低电压操作(1.2V 至 3.6V)、低静态电流和高开关速度,非常适合便携式设备、电池供电系统以及高性能数字电路。它的应用场景广泛,涵盖了从消费电子产品到工业控制等多个领域。
参数 | 数值 |
产品目录 | 集成电路 (IC)半导体 |
描述 | IC GATE NOR 1CH 2-INP SOT-23-5逻辑门 Lo Pwr Sngl 2 Inpt Pos NOR Gate |
产品分类 | 逻辑 - 栅极和逆变器集成电路 - IC |
品牌 | Texas Instruments |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 逻辑集成电路,逻辑门,Texas Instruments SN74AUP1G02DBVR74AUP |
数据手册 | |
产品型号 | SN74AUP1G02DBVR |
PCN设计/规格 | |
不同V、最大CL时的最大传播延迟 | 6.4ns @ 3.3V, 30pF |
产品 | NOR |
产品目录页面 | |
产品种类 | 逻辑门 |
传播延迟时间 | 21.1 ns |
低电平输出电流 | 4 mA |
供应商器件封装 | SOT-23-5 |
其它名称 | 296-19070-6 |
包装 | Digi-Reel® |
单位重量 | 11.200 mg |
商标 | Texas Instruments |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SC-74A,SOT-753 |
封装/箱体 | SOT-23-5 |
工作温度 | -40°C ~ 85°C |
工厂包装数量 | 3000 |
最大工作温度 | + 85 C |
最小工作温度 | - 40 C |
栅极数量 | 1 Gate |
标准包装 | 1 |
特性 | - |
电压-电源 | 0.8 V ~ 3.6 V |
电流-输出高,低 | 4mA,4mA |
电流-静态(最大值) | 0.5µA |
电源电压-最大 | 3.6 V |
电源电压-最小 | 0.8 V |
电路数 | 1 |
系列 | SN74AUP1G02 |
输入/输出线数量 | 2 / 1 |
输入数 | 2 |
输入线路数量 | 2 |
输出线路数量 | 1 |
逻辑电平-低 | 0.7 V ~ 0.9 V |
逻辑电平-高 | 1.6 V ~ 2 V |
逻辑类型 | 或非门 |
逻辑系列 | 74AUP |
高电平输出电流 | - 4 mA |