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产品简介:
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SMUN5335DW1T2G 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的双极性晶体管 (BJT) 阵列,属于预偏置类型。该型号的应用场景主要包括以下几个方面: 1. 信号切换与放大 - SMUN5335DW1T2G 的晶体管阵列设计使其非常适合用于信号切换和放大的应用。其预偏置特性可以简化电路设计,减少外部元件需求,从而提高效率。 - 适用于音频设备、传感器信号处理以及低功耗的模拟信号放大。 2. 逻辑电平转换 - 在需要将低电压信号转换为高电压信号的场景中,这款 BJT 阵列可以提供稳定的性能。例如,在微控制器和外设之间的接口电路中,实现逻辑电平的匹配。 3. 驱动小功率负载 - 该器件适合驱动小型继电器、LED 或其他低功率负载。其紧凑的设计和高效的工作模式使其成为嵌入式系统中的理想选择。 4. 开关电源与稳压器辅助电路 - 在开关电源或线性稳压器中,SMUN5335DW1T2G 可用作辅助开关或控制晶体管,帮助实现高效的电压调节功能。 5. 工业自动化与控制 - 在工业控制系统中,这款 BJT 阵列可用于实现简单的开/关控制功能,例如控制电磁阀、步进电机或其他小型执行器。 6. 消费电子 - 应用于家用电器、遥控器、玩具等消费电子产品中,作为信号处理和驱动的核心组件。 7. 通信设备 - 在低频通信模块中,该器件可作为信号放大或调制解调的组成部分,支持稳定的信号传输。 总结 SMUN5335DW1T2G 的预偏置特性使其在需要快速部署和简化设计的场景中表现出色。其典型应用场景包括信号放大、电平转换、小功率驱动以及各类嵌入式系统的控制功能。这种器件特别适合对成本敏感且对性能要求适中的应用场合。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363 |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
品牌 | ON Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | SMUN5335DW1T2G |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 250mV @ 300µA, 10mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 80 @ 5mA,10V |
供应商器件封装 | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
功率-最大值 | 187mW |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
晶体管类型 | 1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双) |
标准包装 | 3,000 |
电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
电流-集电极截止(最大值) | 500nA |
电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
电阻器-基底(R1)(Ω) | 2.2k |
频率-跃迁 | - |