【晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置_SMUN5312DW1T1G】封装/厂家_SMUN5312DW1T1G中文资料_价格

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型号： SMUN5312DW1T1G
制造商： ON Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供SMUN5312DW1T1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SMUN5312DW1T1G价格参考。ON SemiconductorSMUN5312DW1T1G封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置， Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 187mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363。您可以下载SMUN5312DW1T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SMUN5312DW1T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

SMUN5312DW1T1G 是由 ON Semiconductor（现为安森美半导体）生产的晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置产品。该型号的应用场景主要集中在需要高精度、低功耗和小尺寸解决方案的电子设备中。以下是其具体应用场景：

 1. 电源管理
   SMUN5312DW1T1G 常用于电源管理电路中，特别是在需要高效能和低静态电流的应用中。它能够提供稳定的电流输出，适用于开关电源、线性稳压器等场合。由于其预偏置特性，可以在启动时快速进入工作状态，减少启动时间并提高系统效率。

 2. 信号放大
   在音频放大器、传感器信号放大等应用中，SMUN5312DW1T1G 的双极晶体管阵列可以实现高效的信号放大。其低噪声特性和高增益使得它在需要高保真度的音频设备中表现出色，同时也能用于工业控制中的信号调理电路。

 3. 驱动电路
   该器件适合用于驱动继电器、LED 灯、小型电机等负载。由于其内置的预偏置功能，能够简化外部电路设计，减少外围元件数量，降低整体系统的复杂性和成本。此外，它还可以用于驱动光电耦合器、光隔离器等设备。

 4. 通信设备
   在通信领域，SMUN5312DW1T1G 可以用于射频前端模块中的功率放大器或低噪声放大器。其紧凑的封装和低功耗特性使其非常适合便携式通信设备，如手机、无线模块等。

 5. 消费电子产品
   在消费电子产品中，如智能家居设备、可穿戴设备等，SMUN5312DW1T1G 可以用于控制和驱动各种传感器、显示屏和其他外设。它的低功耗和小尺寸特点使其成为这些应用的理想选择。

 6. 工业自动化
   在工业控制系统中，SMUN5312DW1T1G 可以用于信号调理、传感器接口和驱动执行器等任务。其高可靠性和稳定性确保了工业环境中长时间稳定运行。

总之，SMUN5312DW1T1G 凭借其预偏置特性、低功耗和紧凑封装，在多种应用场景中表现出色，尤其适合对精度和效率有较高要求的电子设备。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363
产品分类	晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
品牌	ON Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	SMUN5312DW1T1G
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值）	250mV @ 300µA， 10mA
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值）	60 @ 5mA，10V
供应商器件封装	SC-88/SC70-6/SOT-363
功率-最大值	187mW
包装	带卷（TR）
安装类型	表面贴装
封装/外壳	6-TSSOP，SC-88，SOT-363
晶体管类型	1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
标准包装	3,000
电压-集射极击穿（最大值）	50V
电流-集电极(Ic)（最大值）	100mA
电流-集电极截止（最大值）	500nA
电阻器-发射极基底(R2)(Ω)	22k
电阻器-基底(R1)(Ω)	22k
频率-跃迁	-