【晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置_SMUN5237DW1T1G】封装/厂家_SMUN5237DW1T1G中文资料_价格

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型号： SMUN5237DW1T1G
制造商： ON Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供SMUN5237DW1T1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SMUN5237DW1T1G价格参考。ON SemiconductorSMUN5237DW1T1G封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置， Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 187mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363。您可以下载SMUN5237DW1T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SMUN5237DW1T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

SMUN5237DW1T1G 是由 ON Semiconductor 生产的双极晶体管（BJT）阵列，属于预偏置类型。这种器件广泛应用于需要高性能、高可靠性和低功耗的电路设计中。以下是其主要应用场景：

 1. 电源管理
   SMUN5237DW1T1G 可用于电源管理系统中的开关和调节功能。它能够高效地控制电流流动，确保电源在不同负载条件下稳定输出。预偏置特性使得该晶体管能够在启动或关闭时快速响应，减少瞬态电压波动，从而提高系统的整体稳定性。

 2. 信号放大与处理
   在模拟信号处理电路中，该晶体管阵列可以用于信号放大和滤波。由于其低噪声和高增益特性，SMUN5237DW1T1G 能够精确地放大微弱信号，同时保持信号的完整性。预偏置设计有助于优化工作点，确保放大器在宽频带范围内具有良好的线性度和稳定性。

 3. 电机驱动与控制
   在电机驱动应用中，SMUN5237DW1T1G 可以用于控制电机的启动、停止和速度调节。通过精确控制电流和电压，该晶体管阵列能够实现高效的电机驱动，减少能耗并延长电机寿命。预偏置特性使得晶体管在高频切换时更加稳定，减少了电磁干扰（EMI）。

 4. 通信设备
   在通信系统中，SMUN5237DW1T1G 可用于射频（RF）前端模块中的功率放大和信号调制。其高速开关特性和低功耗使其成为无线通信设备的理想选择。预偏置设计有助于提高通信系统的信噪比（SNR），确保信号传输的可靠性。

 5. 消费电子
   该晶体管阵列也适用于消费电子产品中的各种控制电路，如智能家电、音频设备等。它可以用于音量控制、电源开关等功能，提供稳定的电流和电压输出，确保设备的正常运行。预偏置特性使得这些设备在启动和关闭时更加平稳，减少了用户的等待时间。

 总结
SMUN5237DW1T1G 的预偏置设计使其在多种应用场景中表现出色，尤其是在需要高精度、快速响应和低功耗的电路中。无论是电源管理、信号处理还是电机控制，该器件都能为系统提供可靠的性能支持。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	TRANS PREBIAS DUAL NPN SOT363
产品分类	晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
品牌	ON Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	SMUN5237DW1T1G
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值）	250mV @ 5mA，10mA
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值）	80 @ 5mA，10V
供应商器件封装	SC-88/SC70-6/SOT-363
功率-最大值	187mW
包装	带卷（TR）
安装类型	表面贴装
封装/外壳	6-TSSOP，SC-88，SOT-363
晶体管类型	2 个 NPN 预偏压式（双）
标准包装	3,000
电压-集射极击穿（最大值）	50V
电流-集电极(Ic)（最大值）	100mA
电流-集电极截止（最大值）	500nA
电阻器-发射极基底(R2)(Ω)	22k
电阻器-基底(R1)(Ω)	47k
频率-跃迁	-