Datasheet下载- 型号： SMUN5235DW1T3G
- 制造商： ON Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SMUN5235DW1T3G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SMUN5235DW1T3G价格参考。ON SemiconductorSMUN5235DW1T3G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SMUN5235DW1T3G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SMUN5235DW1T3G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor（安森美半导体）的SMUN5235DW1T3G是一款双极型晶体管（BJT）阵列，属于预偏置类型。这种器件通常用于需要精确电流控制和低功耗的应用场景。以下是该型号可能的应用领域： 1. 信号调节与放大： SMUN5235DW1T3G适用于信号调节电路，例如音频放大器、传感器信号放大和数据采集系统中的小信号放大。 2. 恒流源设计： 预偏置特性使其非常适合用作恒流源，为LED驱动、激光二极管驱动或精密电流源提供稳定输出。 3. 模拟电路设计： 在模拟电路中，该器件可用于构建差分放大器、电流镜像电路以及跨导放大器等。 4. 电源管理： 可用于简单的线性稳压器或辅助电源电路中，实现电压调节功能。 5. 测试与测量设备： 在高精度测试仪器中，该晶体管阵列可以提供稳定的电流或电压输出，以确保测量结果的准确性。 6. 通信设备： 用于低噪声放大器或其他射频（RF）前端电路中，支持信号处理和优化性能。 7. 工业自动化： 在工业控制系统中，可用于驱动小型执行器、继电器或作为接口电路的一部分。 8. 消费电子： 应用于便携式设备、家用电器中的控制电路和信号处理模块。 总之，SMUN5235DW1T3G凭借其预偏置特性和高性能参数，广泛应用于需要精确电流控制、低噪声和高稳定性的各种电子系统中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL NPN SOT363 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | SMUN5235DW1T3G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 1mA，10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | SOT-363 |
| 功率-最大值 | 187mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 晶体管类型 | 2 个 NPN 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 10,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 2.2k |
| 频率-跃迁 | - |
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