ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 > SMUN5214T1G
Datasheet下载- 型号： SMUN5214T1G
- 制造商： ON Semiconductor
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SMUN5214T1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SMUN5214T1G价格参考。ON SemiconductorSMUN5214T1G封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置， Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 202mW Surface Mount SC-70-3 (SOT323)。您可以下载SMUN5214T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SMUN5214T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
SMUN5214T1G 是由 ON Semiconductor 生产的预偏置双极晶体管 (BJT)，属于单晶体管类型。这类晶体管广泛应用于需要精确电流控制和信号放大的场合。以下是 SMUN5214T1G 的一些典型应用场景： 1. 电源管理 SMUN5214T1G 可用于开关电源、线性稳压器等电源管理系统中，作为开关元件或驱动元件。其预偏置特性使其能够稳定工作在特定的工作点，确保电源系统的高效性和稳定性。 2. 音频放大 在音频设备中，如音响、耳机放大器等，SMUN5214T1G 可以用作前置放大器或功率放大器中的关键元件。它能够提供高增益和低噪声性能，确保音频信号的清晰传输和放大。 3. 电机驱动 该晶体管可以用于小型电机的驱动电路中，特别是在需要精确控制电流和电压的应用中。例如，在步进电机、直流电机等驱动电路中，SMUN5214T1G 可以通过调节基极电流来控制电机的转速和方向。 4. 传感器信号调理 在工业自动化和物联网（IoT）应用中，传感器输出的微弱信号通常需要放大和调理。SMUN5214T1G 可以用于构建信号调理电路，将传感器的输出信号放大到适合后续处理的水平，同时保持信号的完整性。 5. 通信设备 在通信系统中，如无线发射机、接收机等，SMUN5214T1G 可以用作射频（RF）信号的放大器或调制器。其高频特性和低噪声性能使其非常适合用于通信设备中的信号处理。 6. 消费电子 在消费电子产品中，如智能手机、平板电脑、智能手表等，SMUN5214T1G 可以用于电池管理、显示屏背光控制、音频输出等模块，提供高效且稳定的电流控制。 总之，SMUN5214T1G 凭借其预偏置特性、高增益和低噪声性能，适用于多种需要精确电流控制和信号放大的应用场景，尤其在电源管理、音频放大、电机驱动等领域表现优异。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3开关晶体管 - 偏压电阻器 SS SC70 BR XSTR SPCL TR |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,ON Semiconductor SMUN5214T1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SMUN5214T1G |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 300µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 5mA，10V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | SC-70-3（SOT323） |
| 功率-最大值 | 202mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 系列 | MUN5214 |
| 频率-跃迁 | - |
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