ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置 > SMUN5211DW1T1G
Datasheet下载- 型号： SMUN5211DW1T1G
- 制造商： ON Semiconductor
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SMUN5211DW1T1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SMUN5211DW1T1G价格参考￥0.44-￥0.45。ON SemiconductorSMUN5211DW1T1G封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置， Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 187mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363。您可以下载SMUN5211DW1T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SMUN5211DW1T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
SMUN5211DW1T1G 是由 ON Semiconductor 生产的一款晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置的产品。该型号的器件主要用于需要高性能、低功耗和高可靠性的应用场合，特别适用于消费电子、通信设备、工业控制以及汽车电子等领域。 应用场景： 1. 电源管理： SMUN5211DW1T1G 可用于各种电源管理电路中，例如稳压器、DC-DC 转换器等。其预偏置特性使得它在启动阶段能够提供稳定的电流输出，确保系统平稳启动，并在工作过程中保持高效的能量转换。 2. 信号放大与处理： 该器件适用于音频放大器、传感器信号调理电路等需要高增益和低噪声的应用。预偏置设计有助于提高信号的线性度和稳定性，从而改善整体性能。 3. 开关应用： 在继电器驱动、LED 驱动等开关应用中，SMUN5211DW1T1G 可以作为高效的开关元件。其快速响应时间和低饱和电压特性使其能够在高频切换时保持高效工作，减少能量损耗。 4. 保护电路： 该器件还可以用于过流保护、短路保护等安全电路中。通过精确控制电流路径，它可以有效防止电路过载或损坏，提升系统的安全性。 5. 通信设备： 在无线通信模块、调制解调器等设备中，SMUN5211DW1T1G 可以用于射频前端电路，提供稳定的信号传输和接收功能。其优异的电气特性确保了通信链路的可靠性和稳定性。 6. 工业自动化： 在工业控制系统中，如可编程逻辑控制器（PLC）、电机驱动器等，SMUN5211DW1T1G 可以实现精确的电流控制和信号传输，确保工业设备的高效运行。 总之，SMUN5211DW1T1G 凭借其卓越的电气特性和预偏置设计，在多种应用场景中展现出色的性能，是现代电子系统中的重要组件之一。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS PREBIAS DUAL NPN SOT363 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SMUN5211DW1T1G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 300µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 35 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| 功率-最大值 | 187mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 晶体管类型 | 2 个 NPN 预偏压式（双） |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 频率-跃迁 | - |
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