【晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置_SMMUN2233LT1G】封装/厂家_SMMUN2233LT1G中文资料_价格

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型号： SMMUN2233LT1G
制造商： ON Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供SMMUN2233LT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SMMUN2233LT1G价格参考￥0.21-￥0.21。ON SemiconductorSMMUN2233LT1G封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置， Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 246mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)。您可以下载SMMUN2233LT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SMMUN2233LT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

ON Semiconductor的SMMUN2233LT1G是一款预偏置的单双极晶体管（BJT），它在多种应用场景中具有广泛的应用。这款器件的主要特点在于其预偏置设计，能够简化电路设计并提高系统可靠性。以下是该型号的一些典型应用场景：

 1. 电源管理
   SMMUN2233LT1G常用于电源管理电路中，特别是在需要精确控制电流和电压的情况下。由于其预偏置特性，它可以更稳定地工作在开关状态或线性放大状态，适用于稳压器、DC-DC转换器等应用。例如，在电池管理系统中，该晶体管可以用于保护电路，防止过充或过放。

 2. 信号放大
   在音频设备、传感器信号处理等领域，SMMUN2233LT1G可以用作信号放大器。它的低噪声特性和稳定的增益使得它适合用于微弱信号的放大，确保信号不失真。预偏置的设计减少了外部元件的数量，简化了电路设计，同时提高了系统的稳定性。

 3. 驱动电路
   该晶体管也可以用于驱动继电器、LED、电机等负载。在这些应用中，SMMUN2233LT1G可以作为开关元件，通过控制基极电流来实现对负载的有效控制。预偏置特性使其在开关状态下具有更快的响应速度和更低的功耗。

 4. 通信设备
   在通信领域，SMMUN2233LT1G可以用于射频（RF）前端模块中的功率放大器或开关电路。它的高频特性使其能够在较高的频率范围内正常工作，适用于无线通信、蓝牙模块等设备。预偏置设计有助于减少外部元件的数量，降低整体成本。

 5. 工业自动化
   在工业自动化控制系统中，SMMUN2233LT1G可以用于各种传感器接口、执行器驱动等场合。它可以在高温、高湿度等恶劣环境下保持稳定的性能，适用于工厂自动化、智能家居等领域的控制单元。

总之，SMMUN2233LT1G凭借其预偏置设计和稳定的性能，在电源管理、信号放大、驱动电路、通信设备以及工业自动化等多个领域都有广泛的应用。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	TRANS BRT NPN 100MA 50V SOT23
产品分类	晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
品牌	ON Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	SMMUN2233LT1G
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值）	250mV @ 1mA，10mA
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值）	80 @ 5mA，10V
供应商器件封装	SOT-23-3（TO-236）
功率-最大值	246mW
包装	带卷（TR）
安装类型	表面贴装
封装/外壳	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
晶体管类型	NPN - 预偏压
标准包装	3,000
电压-集射极击穿（最大值）	50V
电流-集电极(Ic)（最大值）	100mA
电流-集电极截止（最大值）	500nA
电阻器-发射极基底(R2)(Ω)	47k
电阻器-基底(R1)(Ω)	4.7k
频率-跃迁	-