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Datasheet下载- 型号： SMMUN2214LT1G
- 制造商： ON Semiconductor
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SMMUN2214LT1G产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SMMUN2214LT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SMMUN2214LT1G价格参考。ON SemiconductorSMMUN2214LT1G封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置， Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 246mW Surface Mount SOT-23。您可以下载SMMUN2214LT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SMMUN2214LT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor（安森美半导体）的SMMUN2214LT1G是一款预偏置的双极性晶体管（BJT），属于单晶体管类型。其主要应用场景包括： 1. 信号放大：该器件适用于低噪声和高增益的信号放大电路，例如音频前置放大器或传感器信号调理电路。预偏置设计使其在特定工作点下具有稳定的性能。 2. 开关应用：SMMUN2214LT1G可用于简单的开关电路，例如驱动继电器、小型电机或其他低功率负载。它能够在特定条件下提供可靠的导通和关断功能。 3. 射频（RF）和无线通信：由于其优化的频率响应特性，这款晶体管可以用于低功率射频电路中，如振荡器、混频器或调制解调器等。 4. 消费电子设备：该型号常见于便携式电子产品（如遥控器、玩具、个人健康设备等）中的控制和驱动电路。 5. 工业自动化：在工业领域，SMMUN2214LT1G可能被用作小信号检测与处理单元的一部分，或者作为某些简单逻辑电路的基础元件。 6. 电源管理：虽然不是专门的功率晶体管，但在低功耗系统中，它可以参与一些基础的电压调节或电流限制功能。 总体而言，SMMUN2214LT1G适合需要稳定性能、较低功耗以及简单配置的应用场合。具体使用时需根据实际需求选择合适的外围电路以充分发挥其特性。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS BRT NPN 100MA 50V SOT-23开关晶体管 - 偏压电阻器 SS BR XSTR SPCL TR |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,ON Semiconductor SMMUN2214LT1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SMMUN2214LT1G |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 300µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 5mA，10V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | SOT-23 |
| 其它名称 | SMMUN2214LT1GOSCT |
| 典型电阻器比率 | 0.21 |
| 典型输入电阻器 | 10 kOhms |
| 功率-最大值 | 246mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 系列 | MMUN2214L |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 频率-跃迁 | - |
