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型号： SMMUN2113LT1G
制造商： ON Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供SMMUN2113LT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SMMUN2113LT1G价格参考。ON SemiconductorSMMUN2113LT1G封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置， Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 246mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)。您可以下载SMMUN2113LT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SMMUN2113LT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

SMMUN2113LT1G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的预偏置双极型晶体管（BJT），属于单个晶体管类型。该型号基于经典的 2N2113 晶体管设计，经过优化并封装为表面贴装器件（SOT-23 封装）。以下是其主要应用场景：

 1. 信号放大
   - SMMUN2113LT1G 可用于低功率音频信号放大器中，作为前置放大器或中间级放大器的核心元件。
   - 它适用于需要高增益和低噪声的场景，例如无线通信设备、传感器信号调理电路等。

 2. 开关应用
   - 由于其预偏置特性，该晶体管非常适合用作简单的电子开关。在数字电路中，可以用来控制负载（如 LED、小型继电器等）的通断。
   - 在电源管理电路中，可以用作低压降开关，控制电流流向特定组件。

 3. 振荡器与脉冲发生器
   - 该晶体管可用于构建多谐振荡器、弛张振荡器或其他类型的脉冲信号生成电路。
   - 其高频性能使其适合于产生稳定的时钟信号或调制信号。

 4. 射频（RF）与无线通信
   - 虽然 SMMUN2113LT1G 不是专门设计用于高频应用，但它的性能足以支持一些低频至中频的无线通信模块。
   - 可用于 AM/FM 发射机或接收机中的混频器、调制器或解调器部分。

 5. 传感器接口
   - 在工业自动化或物联网（IoT）领域，该晶体管可作为传感器信号的放大器或驱动器，帮助将微弱信号转换为更强的输出信号。
   - 常见应用包括温度传感器、压力传感器或光电二极管信号处理。

 6. 教育与实验
   - 由于其经典的设计和广泛的适用性，SMMUN2113LT1G 经常被用于教学实验板或学生项目中，帮助学习者理解 BJT 的工作原理及其实际应用。

 总结
SMMUN2113LT1G 凭借其预偏置特性和紧凑的 SOT-23 封装，非常适合应用于低功耗、小型化设计的场合。它广泛用于消费电子、工业控制、通信设备以及教育领域。选择该型号时，需根据具体电路需求考虑其电气参数（如电流容量、电压耐受能力等）是否满足要求。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	TRANS BRT PNP 100MA 50V SOT23
产品分类	晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
品牌	ON Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	SMMUN2113LT1G
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值）	250mV @ 300µA， 10mA
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值）	80 @ 5mA，10V
供应商器件封装	SOT-23-3（TO-236）
功率-最大值	246mW
包装	带卷（TR）
安装类型	表面贴装
封装/外壳	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
晶体管类型	PNP - 预偏压
标准包装	3,000
电压-集射极击穿（最大值）	50V
电流-集电极(Ic)（最大值）	100mA
电流-集电极截止（最大值）	500nA
电阻器-发射极基底(R2)(Ω)	47k
电阻器-基底(R1)(Ω)	47k
频率-跃迁	-