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型号： SMMUN2111LT3G
制造商： ON Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供SMMUN2111LT3G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SMMUN2111LT3G价格参考。ON SemiconductorSMMUN2111LT3G封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置， Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 246mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)。您可以下载SMMUN2111LT3G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SMMUN2111LT3G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

SMMUN2111LT3G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的预偏置双极型晶体管（BJT），属于单晶体管类型。以下是该型号的主要应用场景及特点：

 1. 信号放大
   - SMMUN2111LT3G 可用于低噪声、高增益的信号放大电路中，适用于音频、射频（RF）和其他模拟信号处理场景。
   - 它具有较低的噪声系数和较高的电流增益（hFE），适合在无线通信设备、音频前置放大器等场合中使用。

 2. 开关应用
   - 由于其快速开关特性和低饱和电压（VCE(sat)），该晶体管非常适合用作开关元件。
   - 常见应用包括逻辑电平转换、继电器驱动、LED 驱动以及小型电机控制等。

 3. 射频和高频电路
   - SMMUN2111LT3G 的设计支持高频操作，因此可以应用于射频模块中的混频器、振荡器和调制解调器等电路。
   - 在无线传感器网络或物联网（IoT）设备中，它可以用作信号调节或功率放大组件。

 4. 电源管理
   - 在直流-直流转换器、线性稳压器或其他电源管理电路中，该晶体管可以用作电流放大或负载切换元件。
   - 其预偏置特性简化了电路设计，减少了外部元件的需求。

 5. 消费电子
   - 这款晶体管广泛应用于各种消费电子产品，如智能手机、平板电脑、智能家居设备和可穿戴设备中的小信号处理和功率控制部分。

 6. 工业自动化
   - 在工业控制领域，SMMUN2111LT3G 可用于传感器接口、数据采集系统和过程控制系统中的信号调理与驱动任务。

 总结
SMMUN2111LT3G 凭借其出色的性能参数和预偏置设计，能够在多种电子设备中发挥重要作用。无论是消费级产品还是工业级应用，这款晶体管都能提供可靠的性能表现，同时降低设计复杂度并提高效率。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	TRANS BRT PNP 50V SOT-23
产品分类	晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
品牌	ON Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	SMMUN2111LT3G
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值）	250mV @ 300µA， 10mA
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值）	35 @ 5mA，10V
供应商器件封装	SOT-23-3（TO-236）
功率-最大值	246mW
包装	带卷（TR）
安装类型	表面贴装
封装/外壳	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
晶体管类型	PNP - 预偏压
标准包装	10,000
电压-集射极击穿（最大值）	50V
电流-集电极(Ic)（最大值）	100mA
电流-集电极截止（最大值）	500nA
电阻器-发射极基底(R2)(Ω)	10k
电阻器-基底(R1)(Ω)	10k
频率-跃迁	-