ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 > SMMUN2111LT1G
Datasheet下载- 型号： SMMUN2111LT1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SMMUN2111LT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SMMUN2111LT1G价格参考￥0.21-￥0.21。ON SemiconductorSMMUN2111LT1G封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置， Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 246mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)。您可以下载SMMUN2111LT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SMMUN2111LT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
SMMUN2111LT1G是由ON Semiconductor（现为安森美半导体）生产的一款预偏置单通道双极晶体管（BJT）。这类器件广泛应用于需要精确电流控制和信号放大的电路中。以下是该型号的一些具体应用场景： 1. 电源管理 SMMUN2111LT1G常用于电源管理电路中，特别是在低压差线性稳压器（LDO）和开关模式电源（SMPS）中。它能够提供稳定的电流输出，确保电压稳定，并且具有较低的功耗。由于其预偏置特性，可以简化设计并提高效率。 2. 音频放大器 在音频设备中，如耳机放大器、扬声器驱动器等，SMMUN2111LT1G可用于信号放大。它能够处理小信号并将其放大到足够的电平，以驱动音频输出设备。预偏置功能有助于减少失真，提供更清晰的声音质量。 3. 传感器接口 在传感器应用中，SMMUN2111LT1G可以作为信号调理电路的一部分。例如，在温度传感器、压力传感器等应用中，它可以将微弱的传感器输出信号放大，以便后续处理或传输。预偏置特性使得晶体管能够在特定的工作点上保持稳定，从而提高测量精度。 4. 工业自动化 在工业控制系统中，SMMUN2111LT1G可用于驱动继电器、电机或其他执行机构。它能够承受较大的电流波动，并且在高温环境下仍能保持稳定性能。预偏置设计使其更容易集成到复杂的工业控制系统中，减少了外部元件的需求。 5. 通信设备 在通信设备中，SMMUN2111LT1G可用于信号调制和解调电路。它可以在高频条件下工作，适用于射频（RF）电路中的信号放大和处理。预偏置特性有助于优化工作点，减少噪声干扰，提高通信质量。 6. 消费电子 在消费电子产品中，如智能手机、平板电脑等，SMMUN2111LT1G可用于背光驱动、充电电路等。它的小封装尺寸和高效性能使其成为紧凑型设计的理想选择。预偏置功能简化了电路设计，降低了功耗。 总之，SMMUN2111LT1G凭借其预偏置特性和高性能，广泛应用于电源管理、音频放大、传感器接口、工业自动化、通信设备以及消费电子产品等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS BRT PNP 100MA 50V SOT23 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | SMMUN2111LT1G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 300µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 35 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 功率-最大值 | 246mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 频率-跃迁 | - |
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