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Datasheet下载- 型号： SMMBF4391LT1G
- 制造商： ON Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SMMBF4391LT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SMMBF4391LT1G价格参考。ON SemiconductorSMMBF4391LT1G封装/规格：晶体管 - JFET， JFET N-Channel 30V 225mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)。您可以下载SMMBF4391LT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SMMBF4391LT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
SMMBF4391LT1G是由ON Semiconductor（安森美半导体）制造的JFET（结型场效应晶体管）。这种器件广泛应用于多种电子电路中，特别是在需要低噪声、高输入阻抗和线性信号处理的场合。以下是该型号的主要应用场景： 1. 音频放大器：SMMBF4391LT1G常用于音频前置放大器中，因其具有低噪声特性和高输入阻抗，能够有效地放大微弱的音频信号而不引入过多噪声。这使得它非常适合用于高质量的音响设备、麦克风前置放大器和其他音频处理电路。 2. 射频（RF）应用：在射频电路中，SMMBF4391LT1G可以作为开关或放大器使用。其低寄生电容和快速开关特性使其适用于高频信号的处理，如无线通信模块、雷达系统和RFID读写器等。 3. 传感器接口：由于其高输入阻抗特性，SMMBF4391LT1G非常适合用作传感器信号调理电路中的缓冲器或放大器。它可以与各种类型的传感器（如温度传感器、压力传感器等）配合工作，确保传感器输出信号的完整性并减少干扰。 4. 模拟开关：SMMBF4391LT1G可以用作模拟开关，在多路复用器或多通道数据采集系统中选择不同的信号路径。其低导通电阻和快速切换时间使其成为这些应用的理想选择。 5. 电源管理：虽然JFET通常不直接用于功率级应用，但在一些低压、小电流的电源管理电路中，SMMBF4391LT1G可以用来实现简单的稳压或限流功能。 6. 实验室和测试设备：在精密测量仪器和实验装置中，SMMBF4391LT1G可用于构建高精度的电压跟随器、电流源或其他关键组件，以保证测量结果的准确性。 总之，SMMBF4391LT1G凭借其优异的电气性能和可靠性，在众多领域内都能发挥重要作用，特别适合那些对信号保真度要求较高的应用场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS JFET SW N-CH 30V SOT23 |
| 产品分类 | JFET（结点场效应 |
| FET类型 | N 沟道 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | SMMBF4391LT1G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的电压-截止（VGS关） | 4V @ 10nA |
| 不同Vds(Vgs=0)时的电流-漏极(Idss) | 50mA @ 15V |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 14pF @ 15V（VGS） |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 功率-最大值 | 225mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏极电流(Id)-最大值 | - |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电压-击穿(V(BR)GSS) | 30V |
| 电阻-RDS（开） | 30 欧姆 |
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