Datasheet下载- 型号： SM8S12AHE3/2D
- 制造商： Vishay
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SM8S12AHE3/2D由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SM8S12AHE3/2D价格参考。VishaySM8S12AHE3/2D封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SM8S12AHE3/2D参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SM8S12AHE3/2D 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电路保护半导体 |
| 描述 | TVS DIODE 12VWM 22VC DO218ABTVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 8.0W 12V 5% Unidir |
| 产品分类 | TVS - 二极管分离式半导体 |
| 品牌 | Vishay SemiconductorsVishay Semiconductor Diodes Division |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,TVS二极管,TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器,Vishay Semiconductors SM8S12AHE3/2DPAR® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SM8S12AHE3/2DSM8S12AHE3/2D |
| 不同频率时的电容 | - |
| 产品种类 | TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 |
| 供应商器件封装 | DO-218AB |
| 其它名称 | SM8S12AHE3/2DGIDKR |
| 击穿电压 | 13.3 V |
| 功率-峰值脉冲 | 6600W （6.6kW） |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 单向通道 | 1 |
| 双向通道 | - |
| 商标 | Vishay Semiconductors |
| 商标名 | PAR |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | DO-218AB |
| 封装/箱体 | DO-218AB |
| 尺寸 | 8.7(Max) mm W x 13.7 mm L |
| 峰值浪涌电流 | 332 A |
| 峰值脉冲功率耗散 | 6.6 kW |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C |
| 工作电压 | 12 V |
| 工厂包装数量 | 750 |
| 应用 | 通用 |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 极性 | Unidirectional |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-击穿（最小值） | 13.3V |
| 电压-反向关态（典型值） | 12V |
| 电压-箝位（最大值）@Ipp | 22V |
| 电流-峰值脉冲(10/1000µs) | 300A |
| 电源线路保护 | 无 |
| 端接类型 | SMD/SMT |
| 类型 | 齐纳 |
| 系列 | SMxSxx |
| 钳位电压 | 19.9 V |
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