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  • 型号: SM6K2T110
  • 制造商: ROHM Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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SM6K2T110产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SM6K2T110由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SM6K2T110价格参考。ROHM SemiconductorSM6K2T110封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, 2 个 N 沟道(双) Mosfet 阵列 60V 200mA 300mW 表面贴装 SMT6。您可以下载SM6K2T110参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SM6K2T110 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET 2N-CH 60V 200MA SOT-457MOSFET 2N-CH 60V 200MA SOT-23-6

产品分类

FET - 阵列分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

2 个 N 沟道(双)

Id-ContinuousDrainCurrent

200 mA

Id-连续漏极电流

200 mA

品牌

Rohm Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,ROHM Semiconductor SM6K2T110-

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产品型号

SM6K2T110

Pd-PowerDissipation

300 mW

Pd-功率耗散

300 mW

RdsOn-Drain-SourceResistance

2.8 Ohms

RdsOn-漏源导通电阻

2.8 Ohms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

60 V

Vds-漏源极击穿电压

60 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

5 ns

下降时间

5 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.5V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

15pF @ 10V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

4.4nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

2.4 欧姆 @ 200mA,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=24809

产品目录绘图

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

SMT6

其它名称

SM6K2T110CT

典型关闭延迟时间

12 ns

功率-最大值

300mW

包装

剪切带 (CT)

商标

ROHM Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

SC-74,SOT-457

封装/箱体

SMT-6

工具箱

/product-detail/zh/846-1002-KIT/846-1002-KIT-ND/2277303

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

60V

特色产品

http://www.digikey.com/cn/zh/ph/ROHM/MOSFET_ECOMOS.html

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

200mA

通道模式

Enhancement

配置

Dual

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