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SM6K2T110产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SM6K2T110由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SM6K2T110价格参考。ROHM SemiconductorSM6K2T110封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, 2 个 N 沟道(双) Mosfet 阵列 60V 200mA 300mW 表面贴装 SMT6。您可以下载SM6K2T110参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SM6K2T110 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET 2N-CH 60V 200MA SOT-457MOSFET 2N-CH 60V 200MA SOT-23-6 |
产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | 2 个 N 沟道(双) |
Id-ContinuousDrainCurrent | 200 mA |
Id-连续漏极电流 | 200 mA |
品牌 | Rohm Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,ROHM Semiconductor SM6K2T110- |
数据手册 | |
产品型号 | SM6K2T110 |
Pd-PowerDissipation | 300 mW |
Pd-功率耗散 | 300 mW |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 2.8 Ohms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 2.8 Ohms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 5 ns |
下降时间 | 5 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 1mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 15pF @ 10V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 4.4nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 2.4 欧姆 @ 200mA,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=24809 |
产品目录绘图 | |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | SMT6 |
其它名称 | SM6K2T110CT |
典型关闭延迟时间 | 12 ns |
功率-最大值 | 300mW |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | ROHM Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SC-74,SOT-457 |
封装/箱体 | SMT-6 |
工具箱 | /product-detail/zh/846-1002-KIT/846-1002-KIT-ND/2277303 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 60V |
特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/ROHM/MOSFET_ECOMOS.html |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 200mA |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Dual |