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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SK8403160L由Panasonic Corporation设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SK8403160L价格参考。Panasonic CorporationSK8403160L封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SK8403160L参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SK8403160L 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET N-CH 30V 18A 8HSSOMOSFET 30V N-ch Power MOSFET 3.3x3.25mm |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-连续漏极电流 | 29 A |
品牌 | PanasonicPanasonic Electronic Components - Semiconductor Products |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Panasonic SK8403160L- |
数据手册 | |
产品型号 | SK8403160LSK8403160L |
Pd-PowerDissipation | 28 W |
Pd-功率耗散 | 28 W |
Qg-GateCharge | 22 nC |
Qg-栅极电荷 | 22 nC |
RdsOn-漏源导通电阻 | 3.2 mOhms |
Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1.3 V to 3 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.3 V to 3 V |
上升时间 | 12 ns |
下降时间 | 8 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 3.35mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3920pF @ 10V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 22nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 3.3 毫欧 @ 14.5A, 10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 8-HSSO |
其它名称 | P16263TR |
典型关闭延迟时间 | 52 ns |
功率-最大值 | 2W |
包装 | 带卷 (TR) |
商标 | Panasonic |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 3.2 mOhms |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 8-SMD,扁平引线 |
封装/箱体 | HSSO-8 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 85 C |
最小工作温度 | - 40 C |
标准包装 | 3,000 |
汲极/源极击穿电压 | 30 V |
漏极连续电流 | 29 A |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
特色产品 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/panasonic-sk8-sc8-series/3821 |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 18A (Ta), 70A (Tc) |
系列 | SK8 |
配置 | Single |