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Datasheet下载- 型号： SIZ918DT-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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SIZ918DT-T1-GE3产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SIZ918DT-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIZ918DT-T1-GE3价格参考。VishaySIZ918DT-T1-GE3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 16A, 28A 29W, 100W Surface Mount 8-PowerPair® (6x5)。您可以下载SIZ918DT-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SIZ918DT-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIRMOSFET 30V 16A/28A 29/100W 12mohm / 3.7mohm@10V |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 通道（半桥） |
| Id-连续漏极电流 | 28 A |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SIZ918DT-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SIZ918DT-T1-GE3SIZ918DT-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 100 W |
| Pd-功率耗散 | 100 W |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 12 mOhms |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 790pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 21nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 12 毫欧 @ 13.8A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 6-PowerPair™ |
| 其它名称 | SIZ918DT-T1-GE3CT |
| 功率-最大值 | 29W， 100W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 12 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-PowerPair™ |
| 封装/箱体 | PowerPAIR-8 6x5 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 30 V |
| 漏极连续电流 | 28 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/vishay-powerpair/2826 |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 16A， 28A |
| 系列 | SIZxxxDT |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual |
| 零件号别名 | SIZ918DT-GE3 |
