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  • 型号: SIZ910DT-T1-GE3
  • 制造商: Vishay
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SIZ910DT-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIZ910DT-T1-GE3价格参考。VishaySIZ910DT-T1-GE3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SIZ910DT-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SIZ910DT-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET 2N-CH 30V 40A POWERPAIRMOSFET 30V 40A / 40A Dual N-Ch MOSFET

产品分类

FET - 阵列分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

2 个 N 通道(半桥)

Id-ContinuousDrainCurrent

22 A

Id-连续漏极电流

22 A

品牌

Vishay / SiliconixVishay Siliconix

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SIZ910DT-T1-GE3TrenchFET®

数据手册

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产品型号

SIZ910DT-T1-GE3SIZ910DT-T1-GE3

Pd-PowerDissipation

4.6 W, 5.2 W

Pd-功率耗散

4.6 W, 5.2 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

4.8 mOhms, 2.5 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

4.8 mOhms, 2.5 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vds-漏源极击穿电压

30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

25 ns, 35 ns

下降时间

10 ns, 12 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.2V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1500pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

40nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

5.8 毫欧 @ 20A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

8-PowerPair®

其它名称

SIZ910DT-T1-GE3DKR

功率-最大值

48W,100W

包装

Digi-Reel®

商标

Vishay / Siliconix

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

4.8 mOhms, 2.5 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

8-PowerWDFN

封装/箱体

PowerPAIR-8 6x5

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

94 S, 140 S

汲极/源极击穿电压

30 V

漏极连续电流

22 A

漏源极电压(Vdss)

30V

特色产品

http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/vishay-powerpair/2826

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

40A

系列

SIZxxxDT

配置

Dual

零件号别名

SIZ910DT-GE3

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