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  • 型号: SIZ902DT-T1-GE3
  • 制造商: Vishay
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SIZ902DT-T1-GE3产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SIZ902DT-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIZ902DT-T1-GE3价格参考。VishaySIZ902DT-T1-GE3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, 2 个 N 通道(半桥) Mosfet 阵列 30V 16A 29W,66W 表面贴装 8-PowerPair®(6x5)。您可以下载SIZ902DT-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SIZ902DT-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIRMOSFET 30V 16/16A 29/66W 12/6.4mOhms @ 10V

产品分类

FET - 阵列分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

2 个 N 通道(半桥)

Id-ContinuousDrainCurrent

16 A

Id-连续漏极电流

16 A

品牌

Vishay / SiliconixVishay Siliconix

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SIZ902DT-T1-GE3TrenchFET®

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产品型号

SIZ902DT-T1-GE3SIZ902DT-T1-GE3

Pd-PowerDissipation

66 W

Pd-功率耗散

66 W

Qg-GateCharge

6.8 nC, 21 nC

Qg-栅极电荷

6.8 nC, 21 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

10 mOhms, 5.3 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

10 mOhms, 5.3 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vds-漏源极击穿电压

30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

12 nS, 10 nS

下降时间

10 nS, 10 nS

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.2V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

790pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

21nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

12 毫欧 @ 13.8A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

8-PowerPair®

其它名称

SIZ902DT-T1-GE3TR
SIZ902DTT1GE3

典型关闭延迟时间

20 nS, 35 nS

功率-最大值

29W, 66W

包装

带卷 (TR)

商标

Vishay / Siliconix

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

8-PowerWDFN

封装/箱体

PowerPAIR-8

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

3,000

漏源极电压(Vdss)

30V

特色产品

http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/vishay-powerpair/2826

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

16A

系列

SIZxxxDT

配置

Dual

零件号别名

SIZ902DT-GE3

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