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Datasheet下载- 型号： SIZ710DT-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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SIZ710DT-T1-GE3产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SIZ710DT-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIZ710DT-T1-GE3价格参考。VishaySIZ710DT-T1-GE3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， 2 个 N 通道（半桥） Mosfet 阵列 20V 16A，35A 27W，48W 表面贴装 6-PowerPair™。您可以下载SIZ710DT-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SIZ710DT-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 20V 16A POWERPAIRMOSFET 20V 16A / 35A N-CH MOSFET |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 通道（半桥） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 16 A |
| Id-连续漏极电流 | 16 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SIZ710DT-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SIZ710DT-T1-GE3SIZ710DT-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 27 W, 48 W |
| Pd-功率耗散 | 27 W, 48 W |
| Qg-GateCharge | 11.5 nC, 38 nC |
| Qg-栅极电荷 | 11.5 nC, 38 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 5.5 mOhms, 2.7 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 5.5 mOhms, 2.7 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1 V to 2.2 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1 V to 2.2 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 820pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 18nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 6.8 毫欧 @ 19A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 6-PowerPair™ |
| 其它名称 | SIZ710DT-T1-GE3DKR |
| 功率-最大值 | 27W，48W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-PowerPair™ |
| 封装/箱体 | PowerPAIR-6 6x3.7 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 45 S, 85 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/vishay-powerpair/2826 |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 16A，35A |
| 系列 | SIZxxxDT |
| 配置 | Dual |
| 零件号别名 | SIZ710DT-GE3 |
