【晶体管 - FET，MOSFET - 单_SISS27DN-T1-GE3】封装/厂家_SISS27DN-T1-GE3中文资料_价格

ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > SISS27DN-T1-GE3

图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

型号： SISS27DN-T1-GE3
制造商： Vishay
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

SISS27DN-T1-GE3产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供SISS27DN-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SISS27DN-T1-GE3价格参考。VishaySISS27DN-T1-GE3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，表面贴装 P 沟道 30V 50A（Tc） 4.8W（Ta），57W（Tc） PowerPAK® 1212-8S（3.3x3.3）。您可以下载SISS27DN-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SISS27DN-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET P-CH 30V 50A PPAK 1212-8SMOSFET -30V 5.6mOhm@10V -50A P-Ch G-III
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	逻辑电平门
FET类型	MOSFET P 通道，金属氧化物
Id-连续漏极电流	- 50 A
品牌	Vishay / Siliconix
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SISS27DN-T1-GE3TrenchFET®
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	SISS27DN-T1-GE3
Pd-PowerDissipation	57 W
Pd-功率耗散	57 W
Qg-GateCharge	45 nC
Qg-栅极电荷	45 nC
RdsOn-漏源导通电阻	5.6 mOhms
Vds-漏源极击穿电压	- 30 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 20 V
Vgs-栅源极击穿电压	20 V
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage	- 1 V to - 2.2 V
Vgsth-栅源极阈值电压	- 1 V to - 2.2 V
上升时间	45 ns
下降时间	20 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	2.2V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	5250pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	140nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	5.6 毫欧 @ 15A，10V
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	PowerPAK® 1212-8S
其它名称	SISS27DN-T1-GE3DKR
典型关闭延迟时间	50 ns
功率-最大值	57W
包装	Digi-Reel®
商标	Vishay / Siliconix
商标名	TrenchFET Power MOSFET
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
导通电阻	5.6 mOhms
封装	Reel
封装/外壳	8-PowerVDFN
封装/箱体	PowerPAK 1212-8
工厂包装数量	3000
晶体管极性	P-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	1
正向跨导-最小值	52 S
汲极/源极击穿电压	- 30 V
漏极连续电流	- 50 A
漏源极电压(Vdss)	30V
特色产品	http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/gen-iii-pchannel-40-v-and-30-v-mosfets-in-powerpak-packages/50213
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	50A （Tc）
系列	SISxxxDN
通道模式	Enhancement
配置	Single