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Datasheet下载- 型号： SIS892ADN-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SIS892ADN-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIS892ADN-T1-GE3价格参考￥2.49-￥2.89。VishaySIS892ADN-T1-GE3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 100V 28A（Tc） 3.7W（Ta），52W（Tc） PowerPAK® 1212-8。您可以下载SIS892ADN-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SIS892ADN-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的SIS892ADN-T1-GE3是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），具有多种应用场景，特别是在需要高效功率转换和低导通电阻的应用中表现优异。以下是该型号的一些典型应用场景： 1. 电源管理 SIS892ADN-T1-GE3常用于各种电源管理系统中，例如DC-DC转换器、开关电源（SMPS）和电池充电电路。其低导通电阻（Rds(on)）特性有助于减少传导损耗，提高电源转换效率，尤其是在高电流应用中。此外，该器件的快速开关速度可以降低开关损耗，进一步提升系统的整体性能。 2. 电机驱动 在电机驱动应用中，SIS892ADN-T1-GE3可以用作功率级开关，控制电机的启动、停止和调速。其低导通电阻和高耐压能力使其能够在大电流和高电压环境下稳定工作，适用于无刷直流电机（BLDC）、步进电机等驱动电路。 3. 负载开关 该MOSFET也可用作负载开关，用于控制电源与负载之间的连接。通过控制栅极电压，可以实现对负载的快速通断，广泛应用于消费电子设备、工业控制系统和通信设备中，确保系统在待机或关机状态下消耗最小的静态电流。 4. 电池保护 在电池管理系统（BMS）中，SIS892ADN-T1-GE3可以用于电池的充放电保护电路。它能够有效防止过充、过放、短路等异常情况，保护电池的安全性和延长使用寿命。其低导通电阻有助于减少电池内部的发热，提升电池的整体性能。 5. 汽车电子 该MOSFET还适用于汽车电子系统中的各种应用，如车载充电器、电动助力转向系统（EPS）、LED照明驱动等。其符合AEC-Q101标准，具备良好的抗干扰能力和可靠性，能够在恶劣的车规环境中稳定工作。 总结 SIS892ADN-T1-GE3凭借其出色的电气特性和可靠性，广泛应用于电源管理、电机驱动、负载开关、电池保护以及汽车电子等领域。其低导通电阻、快速开关速度和高耐压能力使得它成为许多高性能电路设计的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 28A PPAK 1212MOSFET 100V 33mOhm@10V 28A N-Ch MV T-FET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 28 A |
| Id-连续漏极电流 | 28 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SIS892ADN-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SIS892ADN-T1-GE3SIS892ADN-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 52 W |
| Pd-功率耗散 | 52 W |
| Qg-栅极电荷 | 6.1 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 33 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 33 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 550pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 19.5nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 33 毫欧 @ 10A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® 1212-8 |
| 其它名称 | SIS892ADN-T1-GE3DKR |
| 功率-最大值 | 52W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8 |
| 封装/箱体 | PowerPAK 1212-8 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 28A （Tc） |
| 系列 | SISxxxADN |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SIS892ADN-GE3 |
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