数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SIS890DN-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIS890DN-T1-GE3价格参考。VishaySIS890DN-T1-GE3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SIS890DN-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SIS890DN-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 100V 30A 1212-8MOSFET 100V 23.5mOhm@10V 30A N-Ch MV T-FET |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 30 A |
Id-连续漏极电流 | 30 A |
品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SIS890DN-T1-GE3TrenchFET® |
数据手册 | |
产品型号 | SIS890DN-T1-GE3SIS890DN-T1-GE3 |
Pd-PowerDissipation | 52 W |
Pd-功率耗散 | 52 W |
Qg-栅极电荷 | 9.5 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 23.5 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 23.5 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 3 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 3 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 802pF @ 50V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 29nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 23.5 毫欧 @ 10A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | PowerPAK® 1212-8 |
其它名称 | SIS890DN-T1-GE3TR |
功率-最大值 | 52W |
包装 | 带卷 (TR) |
商标 | Vishay / Siliconix |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8 |
封装/箱体 | PowerPAK 1212-8 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | N-Channel |
标准包装 | 3,000 |
漏源极电压(Vdss) | 100V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 30A (Tc) |
系列 | SISxxxDN |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Dual |
零件号别名 | SIS890DN-GE3 |