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  • 型号: SIS435DNT-T1-GE3
  • 制造商: Vishay
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SIS435DNT-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIS435DNT-T1-GE3价格参考。VishaySIS435DNT-T1-GE3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SIS435DNT-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SIS435DNT-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET P-CH 20V 30A 1212-8MOSFET 20V .0054ohm@4.5V 30A P-Ch G-III

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

- 22 A

Id-连续漏极电流

- 22 A

品牌

Vishay Siliconix

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay Semiconductors SIS435DNT-T1-GE3TrenchFET®

数据手册

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产品型号

SIS435DNT-T1-GE3

Pd-PowerDissipation

3.7 W

Pd-功率耗散

3.7 W

Qg-GateCharge

180 nC

Qg-栅极电荷

180 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

5.4 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

5.4 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

- 20 V

Vds-漏源极击穿电压

- 20 V

上升时间

30 ns

下降时间

30 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

900mV @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

5700pF @ 10V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

180nC @ 8V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

5.4 毫欧 @ 13A, 4.5V

产品种类

P-Channel MOSFETs

供应商器件封装

PowerPAK® 1212-8

其它名称

SIS435DNT-T1-GE3CT

典型关闭延迟时间

100 ns

功率-最大值

39W

包装

剪切带 (CT)

商标

Vishay Semiconductors

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

PowerPAK® 1212-8

封装/箱体

PowerPak-1212-8

工厂包装数量

3000

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

55 S

漏源极电压(Vdss)

20V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

30A (Tc)

系列

SISxxxDN

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