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Datasheet下载- 型号： SIS415DNT-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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SIS415DNT-T1-GE3产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SIS415DNT-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIS415DNT-T1-GE3价格参考。VishaySIS415DNT-T1-GE3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 20V 35A（Tc） 3.7W（Ta），52W（Tc） PowerPAK® 1212-8。您可以下载SIS415DNT-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SIS415DNT-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 35A 1212-8MOSFET 20V .004ohm@10V 35A P-Ch G-III |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 22.6 A |
| Id-连续漏极电流 | - 22.6 A |
| 品牌 | Vishay / Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SIS415DNT-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SIS415DNT-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 3.7 W |
| Pd-功率耗散 | 3.7 W |
| Qg-GateCharge | 180 nC |
| Qg-栅极电荷 | 180 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 4 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 4 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | - 1.5 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | - 1.5 V |
| 上升时间 | 38 ns |
| 下降时间 | 25 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5460pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 180nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4 毫欧 @ 20A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® 1212-8 |
| 其它名称 | SIS415DNT-T1-GE3DKR |
| 典型关闭延迟时间 | 82 ns |
| 功率-最大值 | 52W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8 |
| 封装/箱体 | PowerPak-1212-8 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 70 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 35A （Tc） |
| 系列 | SISxxxDN |
