图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

Datasheet下载
  • 型号: SIS414DN-T1-GE3
  • 制造商: Vishay
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
数量阶梯 香港交货 国内含税
+xxxx $xxxx ¥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

SIS414DN-T1-GE3产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SIS414DN-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIS414DN-T1-GE3价格参考。VishaySIS414DN-T1-GE3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 30V 20A(Tc) 3.4W(Ta),31W(Tc) PowerPAK® 1212-8。您可以下载SIS414DN-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SIS414DN-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Vishay Siliconix的SIS414DN-T1-GE3是一款N沟道增强型MOSFET,其主要应用场景包括:

1. 电源管理:该器件适用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器和电压调节模块(VRM)等应用。由于其低导通电阻(Rds(on)),能够有效降低功率损耗,提高电源转换效率。

2. 电机驱动:在小型电机控制中,如消费电子、家用电器中的风扇、泵或玩具电机,SIS414DN-T1-GE3可以用作开关元件,实现高效的PWM控制。

3. 负载切换:在便携式设备(如智能手机、平板电脑和其他电池供电设备)中,该MOSFET可用于负载切换,以保护电路免受过流或短路的影响。

4. 电池保护:在电池管理系统(BMS)中,这款MOSFET可以用于电池充放电路径的控制,防止过充、过放以及短路情况的发生。

5. 信号切换:在通信设备和工业控制系统中,它可以作为信号切换元件,用于高速数据传输路径的切换。

6. 逆变器:在小型光伏逆变器或其他需要高频开关的应用中,该MOSFET能够提供快速开关性能,支持高效的能量转换。

7. 汽车电子:尽管其额定电压和电流可能不适用于高功率汽车应用,但在某些低功耗车载电子设备中,例如传感器接口或辅助电路,它仍然可以发挥作用。

总之,SIS414DN-T1-GE3凭借其低导通电阻、小封装尺寸和良好的开关特性,非常适合用于各种低至中等功率的消费类电子产品、工业设备及通信系统中的开关和保护功能。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 30V 20A 1212-8 PPAKMOSFET 20V 20A N-CH MOSFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-连续漏极电流

20 A

品牌

Vishay Siliconix

产品手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SIS414DN-T1-GE3TrenchFET®

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品型号

SIS414DN-T1-GE3

Pd-功率耗散

31 W

Qg-栅极电荷

22 nC

RdsOn-漏源导通电阻

13 mOhms

Vds-漏源极击穿电压

30 V

Vgsth-栅源极阈值电压

0.6 V to 1.5 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1.5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

795pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

33nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

16 毫欧 @ 10A,4.5V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

PowerPAK® 1212-8

其它名称

SIS414DN-T1-GE3DKR

功率-最大值

31W

包装

Digi-Reel®

商标

Vishay / Siliconix

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

PowerPAK® 1212-8

封装/箱体

PowerPAK 1212-8

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

50 S

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

20A (Tc)

系列

SISxxxDN

配置

Single

零件号别名

SIS414DN-GE3

推荐商品

型号:IRFU3709ZPBF

品牌:Infineon Technologies

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:PSMN2R5-60PLQ

品牌:Nexperia USA Inc.

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:DMP10H400SK3-13

品牌:Diodes Incorporated

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:IRFR020PBF

品牌:Vishay Siliconix

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:STF110N10F7

品牌:STMicroelectronics

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:IRF3710STRRPBF

品牌:Infineon Technologies

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:FDY301NZ

品牌:ON Semiconductor

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:FDS86106

品牌:ON Semiconductor

产品名称:分立半导体产品

获取报价

样品试用

万种样品免费试用

去申请
SIS414DN-T1-GE3 相关产品

MTB50P03HDLT4G

品牌:ON Semiconductor

价格:

NTMFS4923NET1G

品牌:ON Semiconductor

价格:

IXFK100N10

品牌:IXYS

价格:

IRLZ14STRR

品牌:Vishay Siliconix

价格:

STF13NM60ND

品牌:STMicroelectronics

价格:

ZXMP6A13FQTA

品牌:Diodes Incorporated

价格:

TPN5900CNH,L1Q

品牌:Toshiba Semiconductor and Storage

价格:

DMG6402LDM-7

品牌:Diodes Incorporated

价格: