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SIS414DN-T1-GE3产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SIS414DN-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIS414DN-T1-GE3价格参考。VishaySIS414DN-T1-GE3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 30V 20A(Tc) 3.4W(Ta),31W(Tc) PowerPAK® 1212-8。您可以下载SIS414DN-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SIS414DN-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的SIS414DN-T1-GE3是一款N沟道增强型MOSFET,其主要应用场景包括: 1. 电源管理:该器件适用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器和电压调节模块(VRM)等应用。由于其低导通电阻(Rds(on)),能够有效降低功率损耗,提高电源转换效率。 2. 电机驱动:在小型电机控制中,如消费电子、家用电器中的风扇、泵或玩具电机,SIS414DN-T1-GE3可以用作开关元件,实现高效的PWM控制。 3. 负载切换:在便携式设备(如智能手机、平板电脑和其他电池供电设备)中,该MOSFET可用于负载切换,以保护电路免受过流或短路的影响。 4. 电池保护:在电池管理系统(BMS)中,这款MOSFET可以用于电池充放电路径的控制,防止过充、过放以及短路情况的发生。 5. 信号切换:在通信设备和工业控制系统中,它可以作为信号切换元件,用于高速数据传输路径的切换。 6. 逆变器:在小型光伏逆变器或其他需要高频开关的应用中,该MOSFET能够提供快速开关性能,支持高效的能量转换。 7. 汽车电子:尽管其额定电压和电流可能不适用于高功率汽车应用,但在某些低功耗车载电子设备中,例如传感器接口或辅助电路,它仍然可以发挥作用。 总之,SIS414DN-T1-GE3凭借其低导通电阻、小封装尺寸和良好的开关特性,非常适合用于各种低至中等功率的消费类电子产品、工业设备及通信系统中的开关和保护功能。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N-CH 30V 20A 1212-8 PPAKMOSFET 20V 20A N-CH MOSFET |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-连续漏极电流 | 20 A |
品牌 | Vishay Siliconix |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SIS414DN-T1-GE3TrenchFET® |
数据手册 | |
产品型号 | SIS414DN-T1-GE3 |
Pd-功率耗散 | 31 W |
Qg-栅极电荷 | 22 nC |
RdsOn-漏源导通电阻 | 13 mOhms |
Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 0.6 V to 1.5 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 795pF @ 15V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 33nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 16 毫欧 @ 10A,4.5V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | PowerPAK® 1212-8 |
其它名称 | SIS414DN-T1-GE3DKR |
功率-最大值 | 31W |
包装 | Digi-Reel® |
商标 | Vishay / Siliconix |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8 |
封装/箱体 | PowerPAK 1212-8 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
正向跨导-最小值 | 50 S |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 20A (Tc) |
系列 | SISxxxDN |
配置 | Single |
零件号别名 | SIS414DN-GE3 |