ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > SIS413DN-T1-GE3
Datasheet下载- 型号： SIS413DN-T1-GE3
- 制造商： Vishay
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SIS413DN-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIS413DN-T1-GE3价格参考。VishaySIS413DN-T1-GE3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 30V 18A（Tc） 3.7W（Ta），52W（Tc） PowerPAK® 1212-8。您可以下载SIS413DN-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SIS413DN-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的SIS413DN-T1-GE3是一款N沟道增强型MOSFET，广泛应用于需要高效开关和功率管理的电子设备中。以下是该型号的主要应用场景： 1. 电源管理 SIS413DN-T1-GE3常用于各种电源管理系统中，如DC-DC转换器、开关电源（SMPS）等。其低导通电阻（Rds(on)）特性使得它在高电流应用中能够减少功耗，提高效率。特别是在笔记本电脑、智能手机和平板电脑等便携式设备中，该MOSFET可以有效管理电池电量，延长设备续航时间。 2. 电机驱动 在小型电机驱动应用中，SIS413DN-T1-GE3可用于控制电机的启动、停止和速度调节。例如，在无人机、智能家居设备（如智能锁、电动窗帘）以及消费类电子产品（如电动牙刷、剃须刀）中，这款MOSFET能够提供快速响应和精确的电流控制，确保电机运行平稳且高效。 3. 负载开关 作为负载开关，SIS413DN-T1-GE3可以实现对电路中不同负载的通断控制。它能够在短时间内迅速切换状态，适用于USB充电接口、音频放大器等需要频繁开启或关闭的电路中，确保系统的稳定性和安全性。 4. 保护电路 该MOSFET还可以用作过流保护或短路保护元件。当检测到异常电流时，它可以迅速切断电路，防止损坏其他敏感元件。例如，在汽车电子系统中，SIS413DN-T1-GE3可以用于保护车载音响、导航系统等免受电流冲击的影响。 5. 信号调理 在某些信号调理电路中，SIS413DN-T1-GE3可以用作模拟开关或电平转换器。它具有较低的输入电容和快速开关速度，适合用于高速数据传输接口（如USB、HDMI）中的信号路径控制。 总结 SIS413DN-T1-GE3凭借其出色的电气性能和可靠性，广泛应用于电源管理、电机驱动、负载开关、保护电路及信号调理等领域。它的低导通电阻、快速开关速度和紧凑封装使其成为众多电子设备中不可或缺的关键组件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 30V 18A PPAK 1212-8MOSFET -30V 9.4mOhm@10V -18A P-Ch G-III |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 18 A |
| Id-连续漏极电流 | - 18 A |
| 品牌 | Vishay / Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SIS413DN-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SIS413DN-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 52 W |
| Pd-功率耗散 | 52 W |
| Qg-GateCharge | 35.4 nC |
| Qg-栅极电荷 | 35.4 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 9.4 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 9.4 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | - 1 V to - 2.5 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | - 1 V to - 2.5 V |
| 上升时间 | 11 ns |
| 下降时间 | 8 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4280pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 110nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 9.4 毫欧 @ 15A， 10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® 1212-8 |
| 其它名称 | SIS413DN-T1-GE3DKR |
| 典型关闭延迟时间 | 45 ns |
| 功率-最大值 | 52W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 商标名 | TrenchFET Power MOSFET |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8 |
| 封装/箱体 | PowerPAK 1212-8 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 50 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 18A （Tc） |
| 系列 | SISxxxDN |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
