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  • 型号: SIS413DN-T1-GE3
  • 制造商: Vishay
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SIS413DN-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIS413DN-T1-GE3价格参考。VishaySIS413DN-T1-GE3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 30V 18A(Tc) 3.7W(Ta),52W(Tc) PowerPAK® 1212-8。您可以下载SIS413DN-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SIS413DN-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET P-CH 30V 18A PPAK 1212-8MOSFET -30V 9.4mOhm@10V -18A P-Ch G-III

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

- 18 A

Id-连续漏极电流

- 18 A

品牌

Vishay / Siliconix

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SIS413DN-T1-GE3TrenchFET®

数据手册

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产品型号

SIS413DN-T1-GE3

Pd-PowerDissipation

52 W

Pd-功率耗散

52 W

Qg-GateCharge

35.4 nC

Qg-栅极电荷

35.4 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

9.4 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

9.4 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

- 30 V

Vds-漏源极击穿电压

- 30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

- 1 V to - 2.5 V

Vgsth-栅源极阈值电压

- 1 V to - 2.5 V

上升时间

11 ns

下降时间

8 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

4280pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

110nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

9.4 毫欧 @ 15A, 10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

PowerPAK® 1212-8

其它名称

SIS413DN-T1-GE3DKR

典型关闭延迟时间

45 ns

功率-最大值

52W

包装

Digi-Reel®

商标

Vishay / Siliconix

商标名

TrenchFET Power MOSFET

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

PowerPAK® 1212-8

封装/箱体

PowerPAK 1212-8

工厂包装数量

3000

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

50 S

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

18A (Tc)

系列

SISxxxDN

通道模式

Enhancement

配置

Single

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