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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SIS407DN-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIS407DN-T1-GE3价格参考¥2.71-¥2.97。VishaySIS407DN-T1-GE3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SIS407DN-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SIS407DN-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
Ciss-输入电容 | 2.76 nF |
描述 | MOSFET P-CH 20V 25A 1212-8 PPAKMOSFET 20V 25A P-CH MOSFET |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | - 25 A |
Id-连续漏极电流 | - 25 A |
品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SIS407DN-T1-GE3TrenchFET® |
数据手册 | |
产品型号 | SIS407DN-T1-GE3SIS407DN-T1-GE3 |
Pd-PowerDissipation | 33 W |
Pd-功率耗散 | 33 W |
Qg-GateCharge | 62.5 nC |
Qg-栅极电荷 | 62.5 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 8.2 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 8.2 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 20 V |
Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | - 0.4 V to - 1 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | - 1 V |
上升时间 | 28 ns |
下降时间 | 38 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2760pF @ 10V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 93.8nC @ 8V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 9.5 毫欧 @ 15.3A,4.5V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | PowerPAK® 1212-8 |
其它名称 | SIS407DN-T1-GE3TR |
典型关闭延迟时间 | 92 ns |
功率-最大值 | 33W |
包装 | 带卷 (TR) |
商标 | Vishay / Siliconix |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8 |
封装/箱体 | PowerPAK 1212-8 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | P-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 3,000 |
正向跨导-最小值 | 60 S |
漏源极电压(Vdss) | 20V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 25A (Tc) |
系列 | SISxxxDN |
配置 | Single |
零件号别名 | SIS407DN-GE3 |