ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > SIRA18DP-T1-GE3
Datasheet下载- 型号： SIRA18DP-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SIRA18DP-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIRA18DP-T1-GE3价格参考。VishaySIRA18DP-T1-GE3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 30V 33A（Tc） 3.3W（Ta），14.7W（Tc） PowerPAK® SO-8。您可以下载SIRA18DP-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SIRA18DP-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的SIRA18DP-T1-GE3是一款N沟道功率MOSFET，主要应用于高效能、低功耗的电力电子设备中。这款MOSFET具有低导通电阻（Rds(on)）和快速开关特性，适用于多种工业及消费类电子产品。 应用场景： 1. 电源管理： - 直流-直流转换器（DC-DC Converter）：在降压或升压型DC-DC转换器中，SIRA18DP-T1-GE3可以作为主开关管，实现高效的电压转换。 - 开关电源（Switching Power Supply, SMPS）：用于笔记本电脑适配器、显示器电源等，提供高效稳定的电源输出。 2. 电机驱动： - 无刷直流电机（BLDC Motor）控制：在电动工具、家用电器（如吸尘器、风扇）中，该MOSFET可用于驱动电机，确保电机高效运行。 - 伺服电机控制：在自动化设备、机器人技术中，MOSFET能够精确控制电机的速度和位置。 3. 电池管理系统（BMS）： - 锂离子电池保护电路：在电动汽车、便携式储能设备中，MOSFET用于过流、短路保护，确保电池安全。 - 充电电路：在快充技术中，MOSFET可以提高充电效率，减少发热。 4. 负载切换与保护： - 热插拔保护（Hot-Swap Protection）：在服务器、通信设备中，MOSFET用于防止插入或拔出时的电流冲击，保护系统稳定。 - 负载开关（Load Switch）：在智能手机、平板电脑等移动设备中，MOSFET用于控制不同模块的供电状态，延长电池寿命。 5. 信号放大与处理： - 音频放大器：在音响设备、耳机放大器中，MOSFET可以用于功率放大级，提供高保真的音频输出。 - 脉宽调制（PWM）控制器：在LED照明、舞台灯光控制系统中，MOSFET用于调节亮度和颜色变化。 总结： SIRA18DP-T1-GE3凭借其优异的电气性能和可靠性，广泛应用于电源管理、电机驱动、电池管理、负载切换与保护以及信号放大等领域，特别适合需要高效、低损耗和快速响应的应用场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 33A PPAK SO-8 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SIRA18DP-T1-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1000pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 21.5nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 7.5 毫欧 @ 10A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=30392 |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 |
| 其它名称 | SIRA18DP-T1-GE3CT |
| 功率-最大值 | 14.7W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 33A （Tc） |
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