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  • 型号: SIRA14DP-T1-GE3
  • 制造商: Vishay
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SIRA14DP-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIRA14DP-T1-GE3价格参考。VishaySIRA14DP-T1-GE3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SIRA14DP-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SIRA14DP-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 30V 58A PPAK SO-8MOSFET 30V 5.1mOhm@10V 20A N-Ch G-IV

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

20 A

Id-连续漏极电流

20 A

品牌

Vishay / SiliconixVishay Siliconix

产品手册

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产品图片

rohs

RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SIRA14DP-T1-GE3TrenchFET®

数据手册

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产品型号

SIRA14DP-T1-GE3SIRA14DP-T1-GE3

Pd-PowerDissipation

15.6 W

Pd-功率耗散

15.6 W

Qg-GateCharge

9.4 nC

Qg-栅极电荷

9.4 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

5.1 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

5.1 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vds-漏源极击穿电压

30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

2.2 V

Vgs-栅源极击穿电压

2.2 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.2V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1450pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

29nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

5.1 毫欧 @ 10A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=30392

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

PowerPAK® SO-8

其它名称

SIRA14DP-T1-GE3CT

功率-最大值

31.2W

包装

剪切带 (CT)

商标

Vishay / Siliconix

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

PowerPAK® SO-8

封装/箱体

PowerPAK SO-8

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N-Channel

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

58A (Tc)

系列

SIRAxxDP

通道模式

Enhancement

配置

Dual

零件号别名

SIRA14DP-GE3

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