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SIRA12DP-T1-GE3产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SIRA12DP-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIRA12DP-T1-GE3价格参考¥2.79-¥3.22。VishaySIRA12DP-T1-GE3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 30V 25A(Tc) 4.5W(Ta),31W(Tc) PowerPAK® SO-8。您可以下载SIRA12DP-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SIRA12DP-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix品牌的SIRA12DP-T1-GE3是一款N沟道增强型MOSFET,其主要应用场景包括但不限于以下几个方面: 1. 电源管理 - 该MOSFET适用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器和电压调节模块(VRM)等应用。其低导通电阻(Rds(on))特性能够减少功率损耗,提高效率,适合需要高效能的电源管理系统。 2. 电机控制 - 在小型电机驱动中,SIRA12DP-T1-GE3可用作开关器件,用于控制电机的启动、停止和速度调节。其快速开关特性和低损耗使其非常适合高频电机控制应用。 3. 负载开关 - 作为负载开关,这款MOSFET可以实现对电路中不同负载的动态控制,例如在便携式电子设备中用于管理电池供电路径,确保系统稳定运行并延长电池寿命。 4. 电池保护 - 在锂电池或其他可充电电池组中,该MOSFET可用于过流保护、短路保护以及防止反向电流等功能,从而提升电池的安全性和可靠性。 5. 通信设备 - 在基站、路由器和其他通信设备中,SIRA12DP-T1-GE3可用于信号放大、功率分配及滤波电路中的开关操作,支持高效的数据传输和处理。 6. 消费类电子产品 - 广泛应用于笔记本电脑、平板电脑、智能手机等消费类电子产品中,用于充电管理、音频放大器驱动以及其他内部电路的功率控制。 7. 工业自动化 - 在工业控制系统中,如PLC(可编程逻辑控制器)或传感器接口,该MOSFET可以用作信号隔离或功率切换元件,满足工业环境下的高可靠性和稳定性要求。 总结 SIRA12DP-T1-GE3凭借其卓越的电气性能(如低Rds(on)、高耐压能力、快速开关速度)以及紧凑的封装形式(TO-252/DPAK),非常适合各种需要高效功率转换和精确控制的应用场景。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N-CH 30V 25A PPAK SO-8MOSFET 30V 4.3mOhm@10V 25A N-Ch G-IV |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 25 A |
Id-连续漏极电流 | 25 A |
品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
产品手册 | http://www.vishay.com/doc?63786 |
产品图片 | |
rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SIRA12DP-T1-GE3TrenchFET® |
数据手册 | |
产品型号 | SIRA12DP-T1-GE3SIRA12DP-T1-GE3 |
Pd-PowerDissipation | 31 W |
Pd-功率耗散 | 31 W |
Qg-GateCharge | 13.6 nC |
Qg-栅极电荷 | 13.6 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 4.3 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 4.3 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 2.2 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 2.2 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.2V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2070pF @ 15V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 45nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 4.3 毫欧 @ 10A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=30392 |
产品种类 | N-Channel MOSFETs |
供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 |
其它名称 | SIRA12DP-T1-GE3DKR |
功率-最大值 | 31W |
包装 | Digi-Reel® |
商标 | Vishay / Siliconix |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
封装/箱体 | PowerPAK SO-8 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 25A (Tc) |
系列 | SIRAxxDP |
配置 | Single |
零件号别名 | SIRA12DP-GE3 |