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  • 型号: SIRA12DP-T1-GE3
  • 制造商: Vishay
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SIRA12DP-T1-GE3产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SIRA12DP-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIRA12DP-T1-GE3价格参考¥2.79-¥3.22。VishaySIRA12DP-T1-GE3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 30V 25A(Tc) 4.5W(Ta),31W(Tc) PowerPAK® SO-8。您可以下载SIRA12DP-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SIRA12DP-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Vishay Siliconix品牌的SIRA12DP-T1-GE3是一款N沟道增强型MOSFET,其主要应用场景包括但不限于以下几个方面:

 1. 电源管理
   - 该MOSFET适用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器和电压调节模块(VRM)等应用。其低导通电阻(Rds(on))特性能够减少功率损耗,提高效率,适合需要高效能的电源管理系统。

 2. 电机控制
   - 在小型电机驱动中,SIRA12DP-T1-GE3可用作开关器件,用于控制电机的启动、停止和速度调节。其快速开关特性和低损耗使其非常适合高频电机控制应用。

 3. 负载开关
   - 作为负载开关,这款MOSFET可以实现对电路中不同负载的动态控制,例如在便携式电子设备中用于管理电池供电路径,确保系统稳定运行并延长电池寿命。

 4. 电池保护
   - 在锂电池或其他可充电电池组中,该MOSFET可用于过流保护、短路保护以及防止反向电流等功能,从而提升电池的安全性和可靠性。

 5. 通信设备
   - 在基站、路由器和其他通信设备中,SIRA12DP-T1-GE3可用于信号放大、功率分配及滤波电路中的开关操作,支持高效的数据传输和处理。

 6. 消费类电子产品
   - 广泛应用于笔记本电脑、平板电脑、智能手机等消费类电子产品中,用于充电管理、音频放大器驱动以及其他内部电路的功率控制。

 7. 工业自动化
   - 在工业控制系统中,如PLC(可编程逻辑控制器)或传感器接口,该MOSFET可以用作信号隔离或功率切换元件,满足工业环境下的高可靠性和稳定性要求。

 总结
SIRA12DP-T1-GE3凭借其卓越的电气性能(如低Rds(on)、高耐压能力、快速开关速度)以及紧凑的封装形式(TO-252/DPAK),非常适合各种需要高效功率转换和精确控制的应用场景。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 30V 25A PPAK SO-8MOSFET 30V 4.3mOhm@10V 25A N-Ch G-IV

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

25 A

Id-连续漏极电流

25 A

品牌

Vishay / SiliconixVishay Siliconix

产品手册

http://www.vishay.com/doc?63786

产品图片

rohs

RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SIRA12DP-T1-GE3TrenchFET®

数据手册

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产品型号

SIRA12DP-T1-GE3SIRA12DP-T1-GE3

Pd-PowerDissipation

31 W

Pd-功率耗散

31 W

Qg-GateCharge

13.6 nC

Qg-栅极电荷

13.6 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

4.3 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

4.3 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vds-漏源极击穿电压

30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

2.2 V

Vgs-栅源极击穿电压

2.2 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.2V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

2070pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

45nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

4.3 毫欧 @ 10A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=30392

产品种类

N-Channel MOSFETs

供应商器件封装

PowerPAK® SO-8

其它名称

SIRA12DP-T1-GE3DKR

功率-最大值

31W

包装

Digi-Reel®

商标

Vishay / Siliconix

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

PowerPAK® SO-8

封装/箱体

PowerPAK SO-8

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

25A (Tc)

系列

SIRAxxDP

配置

Single

零件号别名

SIRA12DP-GE3

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