ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单 > SIR882DP-T1-GE3
数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
SIR882DP-T1-GE3产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SIR882DP-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIR882DP-T1-GE3价格参考。VishaySIR882DP-T1-GE3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 100V 60A(Tc) 5.4W(Ta),83W(Tc) PowerPAK® SO-8。您可以下载SIR882DP-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SIR882DP-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的SIR882DP-T1-GE3是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),属于单个FET类别。它具有出色的电气性能和可靠性,适用于多种电力电子应用场景。 应用场景: 1. 电源管理: - DC-DC转换器:该MOSFET适用于降压、升压及升降压转换器中的开关元件。其低导通电阻(Rds(on))有助于减少传导损耗,提高转换效率。 - 线性稳压器:在低压差线性稳压器(LDO)中作为旁路或负载开关,确保稳定的输出电压。 2. 电机驱动: - 无刷直流电机(BLDC)控制:用于电机驱动电路中的功率级,实现高效的PWM调制,控制电机的速度和方向。 - 步进电机驱动:在步进电机驱动器中作为功率开关,提供精确的电流控制。 3. 电池管理系统(BMS): - 电池保护电路:用于防止过充、过放、短路等异常情况,保护电池组的安全。 - 电池均衡电路:通过MOSFET实现电池单元间的能量转移,确保电池组的一致性。 4. 负载开关: - 消费电子设备:如智能手机、平板电脑、笔记本电脑等,用作负载开关,实现快速的电源切换和节能管理。 - 工业自动化设备:用于控制各种传感器、执行器的供电,确保系统的稳定性和安全性。 5. LED驱动: - LED照明系统:在恒流源电路中作为开关元件,确保LED灯具的亮度一致性和长寿命。 6. 通信设备: - 基站和路由器:用于电源模块中的功率开关,确保高效能和低噪声运行。 - 服务器和数据中心:在冗余电源系统中作为关键组件,提高系统的可靠性和可用性。 7. 汽车电子: - 车载充电器:用于电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV)的车载充电器中,实现高效的电源转换。 - 车身控制系统:如车窗、座椅调节、空调系统等,作为功率开关,确保车辆内部设备的正常运作。 总之,SIR882DP-T1-GE3凭借其优异的性能和广泛的适用性,在各类电力电子应用中都能发挥重要作用,特别是在需要高效能、低功耗和高可靠性的场合。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8MOSFET 100 Volts 60 Amps 83 Watts |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 60 A |
Id-连续漏极电流 | 60 A |
品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SIR882DP-T1-GE3TrenchFET® |
数据手册 | |
产品型号 | SIR882DP-T1-GE3SIR882DP-T1-GE3 |
Pd-PowerDissipation | 83 W |
Pd-功率耗散 | 83 W |
Qg-GateCharge | 38.5 nC |
Qg-栅极电荷 | 38.5 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 8.7 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 8.7 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.8V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1930pF @ 50V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 58nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 8.7 毫欧 @ 20A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 |
其它名称 | SIR882DP-T1-GE3DKR |
功率-最大值 | 83W |
包装 | Digi-Reel® |
商标 | Vishay / Siliconix |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
封装/箱体 | PowerPAK SO-8 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
正向跨导-最小值 | 57 S |
漏源极电压(Vdss) | 100V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 60A (Tc) |
系列 | SIRxxxDP |
配置 | Single |
零件号别名 | SIR882DP-GE3 |