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  • 型号: SIR878DP-T1-GE3
  • 制造商: Vishay
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SIR878DP-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIR878DP-T1-GE3价格参考。VishaySIR878DP-T1-GE3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SIR878DP-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SIR878DP-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8MOSFET 100 Volts 40 Amps 44.5 Watts

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

40 A

Id-连续漏极电流

40 A

品牌

Vishay SiliconixVishay / Siliconix

产品手册

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产品图片

rohs

RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SIR878DP-T1-GE3TrenchFET®

数据手册

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产品型号

SIR878DP-T1-GE3SIR878DP-T1-GE3

Pd-PowerDissipation

44.5 W

Pd-功率耗散

44.5 W

Qg-GateCharge

28.3 nC

Qg-栅极电荷

28.3 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

14 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

14 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

100 V

Vds-漏源极击穿电压

100 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.8V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1250pF @ 50V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

43nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

14 毫欧 @ 15A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

PowerPAK® SO-8

其它名称

SIR878DP-T1-GE3CT

功率-最大值

44.5W

包装

剪切带 (CT)

商标

Vishay / Siliconix

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

14 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

PowerPAK® SO-8

封装/箱体

PowerPAK SO-8

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

34 S

汲极/源极击穿电压

100 V

漏极连续电流

40 A

漏源极电压(Vdss)

100V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

40A (Tc)

系列

SIRxxxDP

配置

Single

零件号别名

SIR878DP-GE3

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