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产品简介:
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参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8MOSFET 100 Volts 40 Amps 44.5 Watts |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 40 A |
Id-连续漏极电流 | 40 A |
品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SIR878DP-T1-GE3TrenchFET® |
数据手册 | |
产品型号 | SIR878DP-T1-GE3SIR878DP-T1-GE3 |
Pd-PowerDissipation | 44.5 W |
Pd-功率耗散 | 44.5 W |
Qg-GateCharge | 28.3 nC |
Qg-栅极电荷 | 28.3 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 14 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 14 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.8V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1250pF @ 50V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 43nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 14 毫欧 @ 15A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 |
其它名称 | SIR878DP-T1-GE3CT |
功率-最大值 | 44.5W |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | Vishay / Siliconix |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 14 mOhms |
封装 | Reel |
封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
封装/箱体 | PowerPAK SO-8 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
正向跨导-最小值 | 34 S |
汲极/源极击穿电压 | 100 V |
漏极连续电流 | 40 A |
漏源极电压(Vdss) | 100V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 40A (Tc) |
系列 | SIRxxxDP |
配置 | Single |
零件号别名 | SIR878DP-GE3 |